[发明专利]一种新型MOS管隔离驱动电路

说明书

本发明涉及开关电源技术领域，具体涉及一种新型MOS管隔离驱动电路，它包括Si8271芯片、图腾柱驱动电路、MOS管，Si8271芯片与图腾柱驱动电路连接，图腾柱驱动电路与MOS管连接，Si8271芯片的一个控制引脚上接入PWM波信号，Si8271芯片的一个控制引脚接入使能信号。本发明的有益效果为：电路结构简单、通用性好、可靠性高，便于直接进行移植设计，工作时稳定可靠。

技术领域

本发明涉及开关电源技术领域，特别是涉及一种新型MOS管隔离驱动电路。

背景技术

开关电源作为一种高效电源已广泛应用于工农业、军工、航空航天、医疗、商业等诸多领域，MOS管作为开关电源的核心器件，能否安全可靠的工作成为影响开关电源性能的重要因素，而MOS管的驱动电路则对MOS管的能否正常工作有着决定性的影响，在很多开关电源电路中，为了保护核心控制CPU和其他重要器件，需要将MOS管的强弱电路进行隔离，这时就需要用到MOS管的隔离驱动电路。

传统的MOS管隔离驱动主要两种方法，一种是采用变压器隔离，如图6所示，对于采用变压器的隔离驱动电路来说，虽然可以起到MOS管的强弱电的隔离作用，但是其缺点也很多：电路结构复杂，需要多级串联；由于驱动变压器存在偏磁问题，需要加入隔直电容，增加了设计难度，而且即使采用了隔直电容，也依然存在偏磁现象；对电路的参数设计比较苛刻，电路的通用性差；可能会出现烧毁MOS管的问题。

另一种是采用光耦隔离，如图7所示，对于采用光耦的隔离驱动电路来说，虽然与隔离变压器驱动电路相比有一定优势，但是其缺点也很多：由于开关电源的MOS管工作频率较高，必须选用高速光耦，高速光耦的电流传输比(CTR)对其输入电流IF、环境温度和长时间工作较为敏感，也更易受环境影响，造成驱动电路的不稳定；同样也存在电路结构仍然较为复杂，通用性差的问题。

针对以上两种MOS管隔离驱动电路的缺点，本发明提出了一种新的MOS管隔离驱动电路，它具有结构简单、通用性好、可靠性高等特点。

发明内容

针对上述情况，为克服现有技术之缺陷，本发明之目的在于提供一种新型MOS管隔离驱动电路，其具有结构简单、通用性好、可靠性高的优点。

本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种新型MOS管隔离驱动电路，包括Si8271芯片、图腾柱驱动电路、MOS管，所述Si8271芯片与图腾柱驱动电路连接，所述图腾柱驱动电路与MOS管连接，所述Si8271芯片的一个控制引脚上接入PWM波信号，所述Si8271芯片的一个控制引脚接入使能信号，所述Si8271芯片的一个控制引脚上连接有输入电源V_S，所述Si8271芯片的一个控制引脚接地。

进一步地，还包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一三极管、第二三极管、输出电源V_D，所述第一电阻连接安装在Si8271芯片上，所述第一三极管、第二三极管的基极分别连接在第一电阻上，所述第一三极管、第二三极管的发射极互相连接，且一并连接于第二电阻，所述第二三极管的集电极连接于Si8271芯片，所述第一三极管的集电极连接于输出电源V_D,所述Si8271芯片同样与输出电源V_D连接。

进一步地，所述第二电阻、第三电阻连接于MOS管，所述第三电阻的另一端与第二三极管的集电极连接，所述第三电阻接入在MOS管上。

综上所述，本发明具有以下有益效果：

1.电路结构简单；相对于采用变压器隔离和采用光耦隔离的MOS管驱动电路来说，本电路只有两级结构，整个电路的核心只需一个Si8271芯片和两个三极管，外加三个电阻，电路结构非常简单，便于设计。