[发明专利]一种芯片加工用蒸镀设备

说明书

本发明公开了一种芯片加工用蒸镀设备，包括真空室、第一中转室、密封法兰和凹槽，所述真空室底部固定有隔热垫，且隔热垫顶部固定有石墨坩埚，所述石墨坩埚外侧安装有电磁感应加热器，且石墨坩埚内侧放置有石英坩埚，所述石英坩埚顶部与石墨坩埚顶部放置有坩埚盖，且坩埚盖表面开设有多个导气孔，所述坩埚盖后侧开设有进料孔。该芯片加工用蒸镀设备，设置有导气孔和晶片座，电磁感应加热器加热石墨坩埚，石墨坩埚加热石英坩埚，使石英坩埚内的金属蒸发形成金属蒸汽，金属蒸汽经过多个导气孔上升，同时驱动电机带动晶片座以及晶片座下方固定的晶片转动，使金属蒸汽均匀的接触并镀在晶片下表面，使蒸镀更加均匀，提高了成品质量。

技术领域

本发明涉及蒸镀设备技术领域，具体为一种芯片加工用蒸镀设备。

背景技术

在加工芯片时，为了将金属均匀的镀在晶片表面，因此需要使用到蒸镀设备。

现有的蒸镀设备的金属蒸汽上升通道过于单一，使得金属蒸汽通过该通道聚集在晶片中心，继而导致晶片中心的蒸镀厚度大于晶片四周的蒸镀厚度，影响蒸镀的均匀性，现有的蒸镀设备在完成一次蒸镀后，通常需要完全打开蒸镀箱，而频繁的抽真空耗费了大量时间，导致该蒸镀设备的加工效率不高，并且现有的晶片高度固定，无法根据金属种类调整最佳的蒸镀高度，进一步降低使用效果，针对上述问题，需要对现有设备进行改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片加工用蒸镀设备，以解决上述背景技术中提出的现有的蒸镀设备的金属蒸汽上升通道过于单一，使得金属蒸汽通过该通道聚集在晶片中心，影响蒸镀的均匀性，现有的蒸镀设备在完成一次蒸镀后，通常需要完全打开蒸镀箱，而频繁的抽真空耗费了大量时间，导致该蒸镀设备的加工效率不高的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种芯片加工用蒸镀设备，包括真空室、第一中转室、密封法兰和凹槽，

真空室，所述真空室底部固定有隔热垫，且隔热垫顶部固定有石墨坩埚，所述石墨坩埚外侧安装有电磁感应加热器，且石墨坩埚内侧放置有石英坩埚，所述石英坩埚顶部与石墨坩埚顶部放置有坩埚盖，且坩埚盖表面开设有多个导气孔，所述坩埚盖后侧开设有进料孔，所述真空室后侧固定安装有料仓，且料仓下侧贯穿有绞龙输送机，所述料仓下端前侧固定连通有石英导料管，且石英导料管前端插接在进料孔内部；

第一中转室，所述第一中转室固定在真空室左侧，且真空室右侧固定有第二中转室，所述第一中转室与真空室连通处以及第二中转室与真空室连通处均开设有滑槽，所述真空室内部设置有第一滑台，所述第二中转室内部设置有第二滑台，所述真空室前侧固定有真空泵，且真空泵通过多个气管分别与真空室、第一中转室以及第二中转室相连通，同时多个气管内部均安装有电磁阀，所述第一中转室底部与第二中转室底部均安装有密封门；

密封法兰，所述密封法兰固定在第一滑台左右两侧以及第二滑台左右两侧，且第一滑台右端与第二滑台左端固定连接，所述密封法兰内部均安装有电磁铁，所述第一中转室左侧以及第二中转室右侧均固定有多级液压驱动装置，所述第一滑台左侧以及第二滑台右侧均开设有收纳槽，且收纳槽靠近真空室的一端与多级液压驱动装置相连通；

凹槽，所述凹槽开设在第一滑台底部与第二滑台底部，且凹槽上侧滑动连接有滑板，所述滑板顶部固定安装有驱动电机，且驱动电机贯穿滑板与晶片座相连接，所述晶片座悬空在滑板下方，且晶片座底部螺纹连接有螺栓，所述螺栓贯穿压板并与其转动连接，且压板上表面与晶片座下表面配合固定晶片，同时晶片安装在晶片座下侧，所述滑板上安装有丝杠驱动装置，且丝杠驱动装置安装在滑槽左侧。

优选的，所述石英坩埚的中心线与第一滑台上凹槽的中心线位于同一垂直线上。

优选的，所述石英导料管与料仓连通处位于料仓最下侧，且石英导料管呈前低后高状设置。

优选的，所述第一中转室的形状尺寸与第二中转室的形状尺寸相同，且第一中转室与第二中转室以真空室中心线为中心呈对称式设置。