[发明专利]用于处理基板的装置及方法在审
申请号: | 202010993614.X | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN112071784A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 李龙熙;李暎熏;郑镇优;林义相 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 王皓 |
地址: | 韩国忠清南道天安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 装置 方法 | ||
1.一种用于处理基板的方法,所述方法包括:
液体处理步骤,其用于通过将处理液供应到液体处理腔室中的所述基板上而在所述基板上执行液体处理;
传送步骤,其用于将所述基板从所述液体处理腔室传送至干燥腔室;以及
干燥步骤,其用于在所述干燥腔室中干燥所述基板,
其中,在所述传送步骤中,保留在所述基板的边缘区域上的所述处理液的高度比保留在所述基板的中心区域上的所述处理液的高度要高。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述液体处理步骤包括:
液体供应步骤,其用于旋转所述基板、并向所述基板供应所述处理液;以及
液位调节步骤,其用于在所述液体供应步骤之后旋转所述基板而不向所述基板供应所述处理液。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,在所述液位调节步骤之后,所述基板立即从所述液体处理腔室传送至所述干燥腔室。
4.根据权利要求2所述的方法,其中,所述液体供应步骤中的所述基板的旋转速度与所述液位调节步骤中的所述基板的旋转速度不同。
5.根据权利要求2所述的方法,其中,所述液体供应步骤中的所述基板的旋转速度比所述液位调节步骤中的所述基板的旋转速度要高。
6.根据权利要求2-5中任一项所述的方法,所述液体供应步骤包括:
第一供应步骤,其用于旋转所述基板、并向所述基板供应所述处理液;以及
第二供应步骤,其用于旋转所述基板、并将所述处理液供应到所述基板的边缘上。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述第一供应步骤中的所述基板的旋转速度与所述第二供应步骤中的所述基板的旋转速度不同。
8.根据权利要求6所述的方法,其中,所述第一供应步骤中的所述基板的旋转速度比所述第二供应步骤中的所述基板的旋转速度要高。
9.根据权利要求6所述的方法,其中,在所述第一供应步骤和所述第二供应步骤中,所述处理液从相同的喷嘴供应,并且所述第一供应步骤中的所述喷嘴的位置与所述第二供应步骤中的所述喷嘴的位置不同。
10.根据权利要求6所述的方法,其中,所述液位调节步骤在所述第二供应步骤之后。
11.根据权利要求1-5中任一项所述的方法,其中,所述处理液包括有机溶剂。
12.根据权利要求1-5中任一项所述的方法,其中,在所述干燥步骤中,在除了所述基板的中心区域外的所述基板的边缘区域由支承单元支承的情况下,干燥所述基板。
13.根据权利要求1-5中任一项所述的方法,其中,在所述干燥步骤中,使用超临界流体干燥所述基板。
14.一种用于处理基板的方法,所述方法包括:
液体处理步骤,其用于通过将处理液供应到液体处理腔室中的所述基板上而在所述基板上执行液体处理;
干燥步骤,其用于在所述液体处理步骤之后、在干燥腔室中干燥所述基板,
其中,所述液体处理步骤包括:
液体供应步骤,其用于向所述基板供应所述处理液;以及
液位调节步骤,其用于在所述液体供应步骤之后停止供应所述处理液、并旋转所述基板,
其中,所述液体供应步骤包括:
第一供应步骤,其用于旋转所述基板、并向所述基板供应所述处理液;以及
第二供应步骤,其用于在所述第一供应步骤之后旋转所述基板、并将所述处理液供应到所述基板的边缘上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造