[发明专利]用于处理基板的装置及方法

说明书

本公开为一种用于处理基板的方法，所述方法包括通过将处理液供应到液体处理腔室中的所述基板上而在所述基板上执行液体处理的液体处理步骤，将所述基板从所述液体处理腔室传送至干燥腔室的传送步骤，以及在干燥腔室中干燥所述基板的干燥步骤。在干燥步骤中，在除了基板的中心区域之外的基板的边缘区域由支承单元支承情况下，干燥所述基板，并且在液体处理步骤中，在所述基板上执行液体处理，使得当液体处理在液体处理腔室中完成时，保留在所述基板的边缘区域上的处理液的高度比保留在所述基板的中心区域上的处理液的高度大。

本申请是申请日为2018年11月29日、申请号为201811444702.3、名称为“用于处理基板的装置及方法”的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

在此描述的本发明构思的实施例涉及用于处理基板的装置和方法，尤其是涉及用于用供应到基板上的液体处理该基板并随后清除该液体的设备和方法。

背景技术

半导体工艺包括清洁基板上的薄膜、异物或颗粒等的工艺。通过将基板放置在旋转头上以使图案面朝上或朝下、在旋转头旋转时将处理液供应到基板上、以及干燥基板，来执行清洁工艺。

目前，在清洁基板的工艺中使用超临界流体。例如，提供用于通过将处理液供应到基板上而在基板上执行液体处理的液体处理腔室以及用于在液体处理之后通过使用超临界流体从基板上清除处理液的干燥腔室，并且在液体处理腔室中完全地处理的基板通过传送机械手传送到干燥腔室中。

图17为示出了用于使用超临界流体干燥基板W的干燥腔室1000的视图。干燥腔室1000在其内部具有支承基板W的支承单元1200。支承单元1200支承基板W的底侧的边缘区域。

当从基板W清除处理液时，优选的是通过超临界流体从基板W的整个区域清除所有的处理液。如果通过自然干燥或加热而不是超临界流体来清除基板W上的处理液，则发生倾斜现象，其中图案如图18的“A”所示倾斜。

当将基板W放置在支承单元1200上以通过使用具有图17所示的结构的干燥腔室1000来清除基板W上的处理液时，如图19所示，基板W在中间凹陷。由于基板W的凹陷，保留在基板W的边缘区域上的部分处理液流向基板W的中心区域。在此情况下，基板W的边缘区域上的处理液的厚度减少，并且在供应超临界流体之前，基板W的边缘区域自然干燥。此外，因为必须从基板W的中心区域清除大量处理液，因此需要花费大量时间来干燥处理液。随着基板W的直径的增加，这些问题变得更大。

加热干燥腔室1000使得供应到干燥腔室1000中的用以清除处理液的流体保持超临界状态。在此情况下，结构(例如，干燥腔室1000和支承单元1200的外壁)的温度比干燥腔室1000的内部空间中的温度高。因此，通过来自与支承单元1200接触的基板W的边缘区域的加热，蒸发更多处理液，并且基板W的边缘区域可能通过加热而干燥或自然干燥。

此外，即使在使用超临界流体来干燥整个底侧都被支承的基板W时，也会遇到以下问题。当用处理液处理基板W之后通过干燥基板W从基板W清除处理液时，在大量处理液保留在基板W上的情况下会花费大量的时间来干燥基板W。如果使用小量的处理液来处理基板W以减少干燥时间，则保留在基板W上的液体不能充分地被处理液替换。

发明内容

本发明构思的实施例提供一种基板处理装置和方法，其用于当使用超临界流体干燥基板时提高干燥效率。

此外，本发明构思的实施例提供一种基板处理装置和方法，其用于防止基板的边缘区域自然干燥。

另外，本发明构思的实施例提供一种基板处理装置和方法，其用于防止在干燥基板时花费大量的时间来清除处理液。

此外，本发明构思的实施例提供一种基板处理装置和方法，其用于当基板从液体处理腔室传送到干燥腔室中时将保留在基板上的处理液的液位调节至设定液位。