[发明专利]一种掺杂结构阵列及光调制器

权利要求书

1.一种掺杂结构阵列，应用于光调制器，其特征在于：包括基板，设置在基板上面的第一半导体、第二半导体；第一半导体外接电极平行设置于第一方向，且与第一半导体接触；第二半导体外接电极与所述第一半导体外接电极平行于同一平面，且与第二半导体接触；所述第一半导体与第二半导体交叉错位排列为第一半导体和第二半导体构成的一个阵列体，所述阵列体包括第一半导体和第二半导体构成的至少一个半导体列，每一列中的第一半导体与其他列中的第二半导体错位设置，以使不同列中的第一半导体两两接触并形成通路，所述阵列体中的第二半导体与其他列中的第一半导体错位设置，以使不同列中的第二半导体两两接触并形成通路。

2.根据权利要求1所述的掺杂结构阵列，其特征在于：所述第一半导体与第二半导体在第二方向上交错排列为至少两层，所述第二方向与所述第一方向垂直。

3.根据权利要求1所述的掺杂结构阵列，其特征在于：所述第一半导体外接电极与所述第二半导体外接电极设置于同一平面，分置于所述第一半导体、第二半导体阵列两侧。

4.根据权利要求1所述的掺杂结构阵列，其特征在于：所述第一半导体外接电极与所述第二半导体外接电极设置于所述第一半导体、第二半导体阵列同侧，且分别置于相互平行的不同平面。

5.根据权利要求1所述的掺杂结构阵列，其特征在于：第一半导体与第二半导体分别与所述第一半导体和第二半导体构成的阵列体中心轴线夹角呈0°～90°，所述第一半导体和第二半导体构成的阵列体中心轴线沿光传播方向延伸。

6.根据权利要求1所述的掺杂结构阵列，其特征在于：所述第一半导体为N型半导体，第二半导体为P型半导体；所述第一半导体外接电极包括第一掺杂区、第二掺杂区，所述第二半导体外接电极包括第五掺杂区、第六掺杂区，所述第一掺杂区、第二掺杂区为N型掺杂，所述第五掺杂区、第六掺杂区为P型掺杂。

7.根据权利要求6所述的掺杂结构阵列，其特征在于：所述N型半导体为硅掺杂五族元素，所述P型半导体为硅掺杂三族元素，所述P型半导体、N型半导体交界面形成PN结。

8.根据权利要求6所述的掺杂结构阵列，其特征在于：所述第一掺杂区的掺杂浓度高于所述第二掺杂区掺杂浓度，所述第六掺杂区的掺杂浓度高于第五掺杂区的掺杂浓度。

9.根据权利要求7所述的掺杂结构阵列，其特征在于：所述P型半导体与N型半导体交界面中间设置准I型掺杂区或栅极氧化物区。

10.一种光调制器，包括波导、合波单元、分波单元，所述波导包括上述1～9权利要求中的任一款掺杂结构阵列，所述合波单元设置于波导光输出端，所述分波单元设置于所述波导光输入端。