[发明专利]一种量子点层图案化的方法、量子点层及QLED器件

权利要求书

1.一种量子点层图案化的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、对载流子传输层进行防水保护；

S2、在经过防水保护的载流子传输层上涂布量子点光刻胶溶液，光刻得到图案化的量子点层，且在所述光刻过程中不对所述载流子传输层进行蚀刻；

其中所述量子点光刻胶溶液包括量子点和光刻胶，所述量子点上带有极性基团；所述防水保护为在所述载流子传输层上设置疏水材料形成疏水保护层，或将疏水材料掺杂在所述载流子传输层中；所述疏水材料为UV胶，所述UV胶的树脂上连接酰胺、噻吩和嗪基中的一种或多种；或者，所述疏水材料为硅烷偶联剂，所述硅烷偶联剂选自氟硅烷、长链硅烷和硅氮烷中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述量子点层图案化的方法，其特征在于：步骤S2需要进行一次或多次。

3.根据权利要求1所述量子点层图案化的方法，其特征在于：所述防水保护为将疏水材料掺杂在所述载流子传输层中时，所述疏水材料掺杂的质量体积分数为1-10mg/mL。

4.根据权利要求1所述量子点层图案化的方法，其特征在于：所述极性基团包括羟基、羧基、氨基和醚基中的至少一种。

5.根据权利要求1所述量子点层图案化的方法，其特征在于：所述量子点光刻胶溶液还包括有机溶剂。

6.根据权利要求1所述量子点层图案化的方法，其特征在于：所述量子点在所述量子点光刻胶溶液中添加的质量分数为5-15%。

7.一种量子点层，其特征在于：采用如权利要求1-6任一所述量子点层图案化的方法制备得到。

8.一种QLED器件，其特征在于：包括如权利要求7所述的量子点层。