[发明专利]一种量子点层图案化的方法、量子点层及QLED器件

说明书

本发明公开一种量子点层图案化的方法，包括以下步骤：S1、对载流子传输层进行防水保护；S2、在经过防水保护的载流子传输层上涂布量子点光刻胶溶液，光刻得到图案化的量子点层；其中所述量子点光刻胶溶液包括量子点和光刻胶。本发明一种量子点层图案化的方法、量子点层及QLED器件，通过将光刻胶与量子点混合，使得量子点隔绝水氧，再采用光刻的方法，制备出图案化的量子点层，制备工艺简单；此外还对载流子传输层的防水保护，提高了载流子传输层的耐水性，减小了光刻过程中的光刻损害，提高了器件的效率；此外光刻工艺制作的分辨率更高。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点层图案化的方法、量子点层及QLED器件。

背景技术

现有技术中QLED器件的制备通常采用喷墨打印的方式。由于市面上用于制备QLED的喷墨打印设备并未大量普及，且喷墨打印设备价格昂贵，同时打印设备对量子点墨水的基本参数要求也高，使得该技术一直都未能获得大的进展。此外，喷墨打印工艺的溶剂挥发、咖啡环等现象，也都对器件的量产造成一定的困难。因此，需要开发一种新的QLED制备工艺，以解决上述问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供一种量子点层图案化的方法、量子点层及QLED器件。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：

本发明的第一个目的在于提供一种量子点层图案化的方法，包括以下步骤：

S1、对载流子传输层进行防水保护；

S2、在经过防水保护的载流子传输层上涂布量子点光刻胶溶液，光刻得到图案化的量子点层；

其中所述量子点光刻胶溶液包括量子点和光刻胶。

具体的，步骤S2需要进行一次或多次。

具体的，在经过防水保护的载流子传输层上涂布量子点光刻胶溶液后，所述光刻的具体步骤为，烘烤，利用掩膜版进行曝光、显影、剥离。

具体的，所述防水保护为在所述载流子传输层上设置疏水材料形成疏水保护层，或将疏水材料掺杂在所述载流子传输层中。

优选地，所述疏水材料为UV胶，所述UV胶的树脂上连接有包括但不限于酰胺、噻吩和嗪基中的一种或多种。

优选地，所述疏水材料为硅烷偶联剂，所述硅烷偶联剂选自氟硅烷、长链硅烷和硅氮烷中的一种或多种。

优选地，所述防水保护为将疏水材料掺杂在所述载流子传输层中时，所述疏水材料掺杂的质量体积分数为1-10mg/mL。

具体的，所述量子点上带有极性基团。

优选地，所述极性基团为包括但不限于羟基、羧基、氨基和醚基中的至少一种。

具体的，所述光刻胶为正性光刻胶或负性光刻胶。

具体的，所述量子点包括红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点中的至少一种。

具体的，所述量子点光刻胶溶液还包括溶剂。

优选地，所述量子点在所述量子点光刻胶溶液中添加的质量分数为5-15％。

优选地，所述溶剂的沸点不大于180℃。

进一步优选地，所述溶剂为选自醚类溶剂、甲苯和二甲苯中的一种或多种。

具体的，所述量子点光刻胶溶剂还包括光扩散剂。

优选地，所述光扩散剂包括无机光扩散剂或者有机光扩散剂，包括但不限定于纳米氧化钛、纳米氧化铝、纳米硫酸钡、纳米碳酸钙、纳米氧化锆、纳米二氧化硅和聚苯乙烯中的一种或多种。