[发明专利]具有连接板的基板处理装置、基板处理方法

说明书

一种基板处理装置的示例包括：环形分配环；多个连接板，其连续到分配环并具有不均匀阻抗；喷淋板，其电连接到多个连接板；以及台架，其设置在喷淋板下方以面对喷淋板。

技术领域

描述了涉及基板处理装置和基板处理方法的示例。

背景技术

通过在多个点处向喷淋板供应高频功率，有时可以使在喷淋板和台架之间供应的气体等离子体化。在以这种方式产生的等离子体中可能会出现偏差或不均匀。也就是说，等离子体密度可能在某些位置更高而在其他位置则更低。

发明内容

本文描述的一些示例可以解决上述问题。本文描述的一些示例可以提供可以简单方式控制等离子体密度的分布的装置和方法。

在一些示例中，一种基板处理装置包括：环形分配环；多个连接板，其连续到分配环并具有不均匀阻抗；喷淋板，其电连接到多个连接板；以及台架，其设置在喷淋板下方以面对喷淋板。

附图说明

图1是基板处理装置的剖视透视图；

图2是分配环和连接板的透视图；

图3是根据另一示例的基板处理装置的剖视图；

图4示出了具有线圈的连接板；

图5示出了具有线圈的连接板；

图6示出了具有线圈的连接板；

图7示出了线圈匝数与电感之间的关系；

图8示出了用于试验的装置；

图9示出了试验结果；

图10示出了可伸缩阻抗调节器；

图11示出了可伸缩阻抗调节器的另一示例；

图12是根据另一示例的基板处理装置的剖视图；

图13是图12的基板处理装置的局部平面图；以及

图14示出了相对于电容元件的容量变化的等离子体分布的变化。

具体实施方式

将参照附图描述基板处理装置和基板处理方法。相同或相应的部件可以由相同的附图标记表示，并且可以省略其重复描述。

图1是示出基板处理装置的构造的示例的剖视透视图。该基板处理装置具有包括台架10和喷淋板的平行板结构。喷淋板包括面对台架10的下喷淋板14和设置在下喷淋板14上的上喷淋板16。下喷淋板14设置有狭缝，使得被供应到下喷淋板14与上喷淋板16之间的空间的气体被供应在下喷淋板14和台架10之间。例如，下喷淋板14通过例如O形环安装在排出管道12上。根据另一示例，下喷淋板14和上喷淋板16可以集成为一个部件。

中继环18放置在上喷淋板16和下喷淋板14上。中继环18和喷淋板可以由金属制成。排出管道12可以由陶瓷制成。陶瓷的具体示例是例如氧化铝。图1示出了分配环20和连接板22、24，其用于在多个点处向下喷淋板14供应高频功率。

图2是示出分配环20和连接板22、24、26、28的透视图。分配环20是环形导电材料。多个连接板22、24、26、28由连续到分配环20的导电材料形成。分配环20和连接板22、24、26、28的材料例如是铝。连接板的数量可以是两个或更多个的任何数量。突起20a设置在分配环20的上表面上。可以向突起20a供应高频功率。根据一示例，从高频功率施加装置20b供应到突起20a的高频功率具有27.12MHz以上的频率。