[发明专利]一种阵列基板及其修复方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其包括纵横交错且间隔绝缘层的栅极线和数据线、由栅极线和数据线交叉限定的像素单元、位于栅极线和数据线交叉处的TFT开关、位于像素单元内的像素电极、与栅极线同时形成的存储电容线以及用于对当数据线存在断线时并对数据线进行修复的修复装置；其特征在于：

所述修复装置包括位于每个像素单元内且与栅极线平行的2个修复接头以及纵跨在所述存储电容线上的多个存储修复线；其中所述2个修复接头分别为第一修复接头和第二修复接头，第一修复接头与数据线的一端连接，第二修复接头与数据线的另一端连接；相邻两行像素单元的相邻两个修复接头分别为本行像素单元的修复接头和下一行像素单元的修复接头；所述存储修复线纵向跨在存储电容线上的宽度大于存储电容线的宽度。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述修复装置还包括纵跨在所述栅极线上的栅极修复线。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：所述栅极修复线纵向跨在栅极线上的宽度大于栅极线的宽度。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述修复装置还包括修复像素电极线，所述修复像素电极线覆盖本行像素单元的第二修复接头和下一行像素单元的第一修复接头；所述修复像素电极线与像素电极间隔一定距离。

5.用于权利要求1-4任一所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1，数据线存在断线，所述断线的位置在非栅极线所在区域；

步骤S2：判断所述数据线两端的第一修复接头和第二修复接头距离所述断线的位置较近；

步骤S3：选择存储修复线进行修复，采用激光化学沉积连接第一修复接头和存储修复线以及连接第二修复接头和存储修复线，并分别形成第一连接线和第二连接线。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的修复方法，其特征在于：所述第一连接线连接第一修复接头和存储修复线，第二连接线连接第二修复接头和存储修复线。

7.用于权利要求2-4任一所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：数据线存在断线，所述断线在栅极线所在区域；

S2：判断本行像素单元的第二修复接头和下一行像素单元的第一修复接头距离断线的位置较近；

S3：选择栅极修复线进行修复，采用激光化学沉积连接本行像素单元的第二修复接头和栅极修复线以及连接下一行像素单元的第一修复接头和栅极修复线，并分别形成第一连接线和第二连接线。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的修复方法，其特征在于：所述第一连接线连接第一修复接头和栅极修复线，第二连接线连接第二修复接头和栅极修复线。

9.用于权利要求4所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：数据线与栅极线跨接处存在断线，切断栅极线与本行像素单元的第二修复接头之间的第一数据线切断处以及切断栅极线与下一行像素单元的第一修复接头之间的第二数据线切断处；

S2：选择修复像素电极线进行修复，修复像素电极线与本行像素单元的第二修复接头之间的第一交叠处进行熔接，修复像素电极线与下一行像素单元的第一修复接头之间的第二交叠处进行熔接。

10.根据权利要求9所述的阵列基板的修复方法，其特征在于：本行像素单元的数据线通过本行像素单元的第二修复接头、第一交叠处、修复像素电极线、第二交叠处、下一行像素单元的第一修复接头连接至下一行像素单元的数据线。