[发明专利]一种阵列基板及其修复方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及其修复方法，其包括用于对当数据线存在断线时并对数据线进行修复的修复装置；所述修复装置包括位于每个像素单元内且与栅极线平行的2个修复接头以及纵跨在所述存储电容线上的多个存储修复线；其中所述2个修复接头分别为第一修复接头和第二修复接头，第一修复接头与数据线的一端连接，第二修复接头与数据线的另一端连接；相邻两行像素单元的相邻两个修复接头分别为本行像素单元的修复接头和下一行像素单元的修复接头；所述存储修复线纵向跨在存储电容线上的宽度大于存储电容线的宽度。本发明在像素内部通过修复图形即可修复断线，避免了采用修复线修复出现的弱线不良。

技术领域

本发明属于液晶显示面板技术领域，具体涉及一种阵列基板及其修复方法。

背景技术

阵列基板包括纵横交错的数据线和扫描线，数据线相对扫描线来说非常细，容易出现缺失断线或爬坡断线，又由于数据线的数量庞大(RGB像素单元，为解析度的3倍之多)，所以数据线的断线的概率较高。

如图1所示，目前大尺寸显示面板采用修复线修复时，当某根数据线10存在断线处O处时，切断该数据线10的第一端30，然后熔融连接该数据线的第二端与芯片(IC)20侧的配线21，使得数据线信号需从芯片(IC)20侧的配线21出来经过外围修复线30绕一圈再进入数据线10的第一端。由于外围修复线30比较长，导致外围修复线30的负载太大，导致修复后的面板出现弱线。

一般在数据线的制程结束后会进行外观检查，通过与正常图形外观比对，找出异常图形，再进行修复。如果在数据线的制程后进行断线修复(具体用激光化学沉积LVCD方式：金属源六碳基钨W(CO)₆在激光束作用下发生光解反应，分离出金属钨成膜在断线处，从而使数据线信号的导通)，就不需要后留至A检或者SL检采用图1所述的修复线修复，从而避免出现修复弱线不良，大大提升面板的良率。

在实际制程中，数据线的制程后通过外观检查进行数据线不良修复，其效果如像素结构的图2(a)所示，图2(b)为数据线的制程后数据线断线常用修复方法。

如图2(a)所示，显示基板包括底层基板(图未示)；由第一金属层形成在底层基板上的栅极线11和存储电容线12；覆盖第一金属层的栅极绝缘层(图中未示)；位于栅极绝缘层上的半导体层21；由第二金属层形成的数据线31、位于半导体层21上且与半导体层21电性连接的源极32和漏极33以及位于存储电容线上的数据线层34；覆盖第二金属层的无机绝缘膜(图中未示)、位于无机绝缘膜上且位于漏极33上的第一通孔41以及位于数据线层34上的第二通孔42；以及由ITO材料形成在无机绝缘膜上的像素电极51；其中，第一通孔41使漏极33与像素电极51电性连接，第二通孔42使数据线层34与像素电极51电性连接。

如图2(b)所示，第二金属层制程后出现数据线断线S1,在数据线断线S1上下利用激光化学沉积LVCD形成一条与数据线电性连接的修复线71，修复线71的材质与第二金属层相同。由于第二金属层制程时第一金属层已经形成，而且激光化学沉积LVCD使用激光光解，若直接经过第一金属层(如存储电容线或扫描线)进行第二金属层金属溅射成膜，很难控制激光能量而使两层金属不熔接。若能量过小，无法形成钨膜；若能量过大就使两层金属交叠处电性连接，形成S-Cs(数据线和存储电容线)短路，造成点灯时线不良；即使有的修复成功了，在后期的老化实验时，两层金属交叠处微熔接会恶化，也会出现短路而造成的线或点不良。

发明内容

本发明的目的在于提供一种不会降低像素的开口率、避免修复时出现弱线不良的阵列基板及其修复方法。