[发明专利]一种熔窑碹顶胀缝处理方法及处理结构在审

专利信息
申请号: 202011001169.0 申请日: 2020-09-22
公开(公告)号: CN111977944A 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 陈营鸽;郝成东;赵涛涛;陶明林 申请(专利权)人: 吴江南玻玻璃有限公司;中国南玻集团股份有限公司
主分类号: C03B5/42 分类号: C03B5/42;C03B5/43;C04B35/14;C04B35/66
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 樊晓娜
地址: 215222 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 熔窑碹顶胀缝 处理 方法 结构
【权利要求书】:

1.一种熔窑碹顶胀缝处理方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、大碹砖节处设置上下相对设置的上胀缝和下胀缝,上胀缝和下胀缝之间设置有标砖,先烤窑,待窑体膨胀稳定后,将焊补料填充在标砖与下胀缝之间进行焊接;

S2、待步骤S1中部分或全部焊补料在下胀缝内固化后,先在上胀缝内铺设预设厚度的无定型填料,无定型填料覆盖标砖和上胀缝底部,待无定型填料部分固化或全部固化后,再在无定型填料上放置至少一个零膨胀硅砖,零膨胀硅砖的左右两侧均未抵触上胀缝的左右两内侧壁,然后在零膨胀硅砖与上胀缝内侧之间的空间内浇筑无定型填料,浇筑后,零膨胀硅砖的上表面、无定型填料的上表面与大碹砖的上表面齐平;

S3、在大碹砖上设置保温层,所述保温层能够覆盖零膨胀硅砖和无定型填料。

2.根据权利要求1所述熔窑碹顶胀缝处理方法,其特征在于,在步骤S1中,焊补的条件为:焊补使用焊枪,焊枪与砖体表面距离范围设置为35-50mm,在温度范围1000-1200℃下焊补,氧气流量范围设置为0.25-0.5m3/h。

3.根据权利要求1所述熔窑碹顶胀缝处理方法,其特征在于,在步骤S2中,在上胀缝内铺设无定型填料时,大碹砖顶部温度控制在200-600℃。

4.根据权利要求1所述熔窑碹顶胀缝处理方法,其特征在于,在步骤S3中,所述保温层包括设置在零膨胀硅砖和无定型填料上的密封层、设置在密封层上的保温砖以及设置在保温砖上的保温涂料。

5.根据权利要求1所述熔窑碹顶胀缝处理方法,其特征在于,所述零膨胀硅砖按重量百分比包括如下组分:

6.根据权利要求1所述熔窑碹顶胀缝处理方法,其特征在于,所述无定型填料按重量百分比包括如下组分:

熔融石英: 70-80%

磷酸液体: 20-30%。

7.根据权利要求5所述熔窑碹顶胀缝处理方法,其特征在于,所述熔融石英包括不同粒径的石英颗粒,其中,颗粒粒径范围为0.35-0.2mm的石英颗粒占比5%,颗粒粒径范围为0.08-0.06mm的石英颗粒占比20%,颗粒粒径范围为0.04-0.035mm的石英颗粒占比75%。

8.根据权利要求1所述熔窑碹顶胀缝处理方法,其特征在于,所述焊补料按重量百分比包括如下组分:

所述硅粉的粒径范围为100-150μm,所述超细硅粉的粒径范围为2.5-25μm,所述超细硅粉的比表面积范围为7.8-8.5m2/g。

9.一种基于权利要求1-8中任意一项所述的熔窑碹顶胀缝处理方法得到的处理结构,所述大碹砖(7)上设置有上下相对设置的上胀缝(1)与下胀缝(2),所述上胀缝(1)与下胀缝(2)之间设置有标砖(8),使得上胀缝(1)和下胀缝(2)不贯通,其特征在于,所述处理结构包括设置在下胀缝(2)内的焊补层(3)、设置在所述标砖上方的第一填充层(4)、设置在所述第一填充层(4)上的至少一个零膨胀硅砖(5),所述零膨胀硅砖(5)与上胀缝(1)内侧壁之间设置有第二填充层(6),所述零膨胀硅砖(5)的上表面、第二填充层(6)的上表面均与大碹砖(7)的上表面齐平;

所述焊补层(3)由焊补料加热固化后形成,所述第一填充层(4)与第二填充层(6)均由无定型填料固化后形成。

10.根据权利要求9所述的处理结构,其特征在于,所述处理结构还包括设置在零膨胀硅砖和第二填充层(6)上的密封层(91)、设置在密封层(91)上的保温砖(92)以及设置在保温砖(92)上的保温涂料层(93)。

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