[发明专利]氮化物半导体层叠结构、氮化物半导体发光元件及氮化物半导体层叠结构的制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体层叠结构，其至少具有：

蓝宝石基板、

在所述蓝宝石基板的主面上形成的第一AlN层、以及

在所述第一AlN层上形成的第二AlN层，

所述第二AlN层的a轴方向的形变量ε₂的绝对值小于所述第一AlN层的a轴方向的形变量ε₁的绝对值。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体层叠结构，其中，所述蓝宝石基板具有：C面以1.5°以下的偏离角倾斜的所述主面。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体层叠结构，其中，所述形变量ε₁为-0.6％以上且-0.2％以下，所述形变量ε₂为-0.15％以上且0.1％以下。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的氮化物半导体层叠结构，其中，所述第二AlN层的(0002)面的X射线摇摆曲线的半值宽度为250秒以下。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的氮化物半导体层叠结构，其中，所述第二AlN层的(10-12)面的X射线摇摆曲线的半值宽度为500秒以下。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的氮化物半导体层叠结构，其中，所述第二AlN层的(0002)面的X射线摇摆曲线的半值宽度小于所述第一AlN层的(0002)面的X射线摇摆曲线的半值宽度。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的氮化物半导体层叠结构，其中，所述第二AlN层的(10-12)面的X射线摇摆曲线的半值宽度小于所述第一AlN层的(10-12)面的X射线摇摆曲线的半值宽度。

8.一种氮化物半导体层叠结构，其具有：

蓝宝石基板、以及

在所述蓝宝石基板的主面上形成的AlN层，

构成所述AlN层表面的AlN的a轴方向的形变量为-0.15％以上且0.1％以下。

9.一种氮化物半导体发光元件，其在权利要求1～8中的任一项所述的氮化物半导体层叠结构上形成有发光结构，所述发光结构由氮化物半导体层的层叠构成。

10.一种氮化物半导体层叠结构的制造方法，该方法具有如下工序：

准备蓝宝石基板的工序，

在所述蓝宝石基板的主面上形成第一AlN层的工序，

在包含氢气且实质上不含氨的气氛下对所述第一AlN层的表面进行热处理的工序，以及

在所述第一AlN层上形成第二AlN层的工序，

所述第二AlN层的a轴方向的形变量ε₂的绝对值小于所述第一AlN层的a轴方向的形变量ε₁的绝对值。

11.一种氮化物半导体层叠结构的制造方法，该方法具有如下工序：

准备蓝宝石基板的工序，

在所述蓝宝石基板的主面上形成AlN层的工序，

在包含氢气且实质上不含氨的气氛下对所述AlN层的表面进行热处理的工序，以及

在所述AlN层上使AlN进行再生长的工序，

所述使AlN进行再生长的工序后的、构成所述AlN层表面的AlN的a轴方向的形变量为-0.15％以上且0.1％以下。

12.根据权利要求10或11所述的氮化物半导体层叠结构的制造方法，其中，所述进行热处理的工序在900℃以上进行10分钟以上的热处理。