[发明专利]氮化物半导体层叠结构、氮化物半导体发光元件及氮化物半导体层叠结构的制造方法

说明书

本发明涉及氮化物半导体层叠结构、氮化物半导体发光元件及氮化物半导体层叠结构的制造方法。提供能够实现形变小、适于制造紫外LED的AlN模板的技术。一种氮化物半导体层叠结构，其至少具有：蓝宝石基板、在蓝宝石基板的主面上形成的第一AlN层、以及在第一AlN层上形成的第二AlN层，第二AlN层的a轴方向的形变量ε₂的绝对值小于第一AlN层的a轴方向的形变量ε₁的绝对值。

技术领域

本发明涉及氮化物半导体层叠结构、氮化物半导体发光元件及氮化物半导体层叠结构的制造方法。

背景技术

紫外LED将包含大量Al的氮化物半导体层层叠而形成。作为紫外LED的基底，例如可使用在蓝宝石基板上使作为缓冲层的AlN层进行外延生长而得的AlN模板。例如，专利文献1提出了在蓝宝石基板上形成有含Al的氮化物膜的外延基板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-142953号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于提供能够实现形变小、适于制造紫外LED的AlN模板的技术。

用于解决问题的方案

根据本发明的一个方案，提供一种氮化物半导体层叠结构，其至少具有：

蓝宝石基板、

在前述蓝宝石基板的主面上形成的第一AlN层、以及

在前述第一AlN层上形成的第二AlN层，

前述第二AlN层的a轴方向的形变量ε₂的绝对值小于前述第一AlN层的a轴方向的形变量ε₁的绝对值。

根据本发明的另一个方案，提供一种氮化物半导体层叠结构，其具有：

蓝宝石基板、以及

在前述蓝宝石基板的主面上形成的AlN层，

构成前述AlN层表面的AlN的a轴方向的形变量为-0.15％以上且0.1％以下。

根据本发明的再一个方案，提供一种氮化物半导体层叠结构的制造方法，该方法具有如下工序：

准备蓝宝石基板的工序，

在前述蓝宝石基板的主面上形成第一AlN层的工序，

在包含氢气且实质上不含氨的气氛下对前述第一AlN层的表面进行热处理的工序，以及

在前述第一AlN层上形成第二AlN层的工序，

前述第二AlN层的a轴方向的形变量ε₂的绝对值小于前述第一AlN层的a轴方向的形变量ε₁的绝对值。

根据本发明的再一个方案，提供一种氮化物半导体层叠结构的制造方法，该方法具有如下工序：

准备蓝宝石基板的工序，

在前述蓝宝石基板的主面上形成AlN层的工序，

在包含氢气且实质上不含氨的气氛下对前述AlN层的表面进行热处理的工序，以及

在前述AlN层上使AlN进行再生长的工序，

前述使AlN进行再生长的工序后的、构成前述AlN层表面的AlN的a轴方向的形变量为-0.15％以上且0.1％以下。