[发明专利]一种抗PID太阳能电池片的制备方法

权利要求书

1.一种抗PID太阳能电池片的制备方法，其特征在于，依次包括有以下步骤：硅片预清洗、高温磷扩散、湿法刻蚀、臭氧处理、热氧化处理、背面镀膜处理、正面PECVD镀膜处理、激光开槽、丝网印刷和烧结。

2.如权利要求1所述的抗PID太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述臭氧处理步骤中使用臭氧处理装置，臭氧处理装置中氧气用量为3-6L/min，氮气的压力为0.2-0.3MPa。

3.如权利要求2所述的抗PID太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述热氧化处理步骤中：初始温度为700～750℃，经过700～900s恒温恒压至650～700℃，氧化800～1200s，氧气流量为1200～1700sccm，然后经过300～500s的冷却，降温至550～650℃。

4.如权利要求3所述的抗PID太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述背面镀膜处理步骤中：通入流量为4～6slm的N₂O，70～90％的三甲胺液体，经过50-80s，膜厚度控制在100～150nm，折射率控制在2.0～2.15之间。

5.如权利要求4所述的抗PID太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述正面PECVD镀膜处理步骤中膜厚控制在75～95nm之间，折射率控制在2.0～2.15之间。