[发明专利]一种抗PID太阳能电池片的制备方法

说明书

本发明公开了一种抗PID太阳能电池片的制备方法，依次包括有以下步骤：硅片预清洗、高温磷扩散、湿法刻蚀、臭氧处理、热氧化处理、背面镀膜处理、正面PECVD镀膜处理、激光开槽、丝网印刷和烧结。本发明的抗PID太阳能电池片的制备方法，无需增加任何设备，采用相对简单的工艺，兼顾了多层减反射膜的优势，同时增加减反射膜表面钝化效果，提高了太阳能电池片的转化效率同时降低电池片的PID效应。

技术领域

本发明属于晶硅太阳能电池片生产技术领域，具体涉及一种抗PID太阳能电池片的制备方法。

背景技术

目前，高效晶硅PERC太阳能电池是光伏行业领域的主流产品。PERC技术提升了电池片的转化效率同时进一步增大了电池片各类衰减的风险。电池片的电势诱导衰减(PID)现象是其中的一种。在高温、高湿和高压环境下，晶硅太阳能电池片和组件均易出现PID现象，PERC电池该现象更为显著。PID现象主要是电池片表面存在大量悬挂键、断键等不饱和键，容易在禁带形成复合中心能级，加大载流子在表面复合消失速率。通过晶硅表面的钝化技术可以降低晶硅表面的复合速率，提高晶硅太阳能电池的光电转换效率，降低电池片的PID效应。常见的表面钝化技术使用臭氧在硅基底表面形成一层致密的氧化层或通过热氧氧化的方式在硅的表面形成一层一定厚度的氧化层。臭氧氧化法电池片的PID现象较为稳定但电池片转化效率低，热氧氧化法电池片的转化效率高但电池片的PID稳定性差。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种抗PID太阳能电池片的制备方法，依次包括有以下步骤：硅片预清洗、高温磷扩散、湿法刻蚀、臭氧处理、热氧化处理、背面镀膜处理、正面PECVD镀膜处理、激光开槽、丝网印刷和烧结。

作为上述技术方案的优选，所述臭氧处理步骤中使用臭氧处理装置，臭氧处理装置中氧气用量为3-6L/min，氮气的压力为0.2-0.3MPa。

作为上述技术方案的优选，所述热氧化处理步骤中：初始温度为700～750℃，经过700～900s恒温恒压至650～700℃，氧化800～1200s，氧气流量为1200～1700sccm，然后经过300～500s的冷却，降温至550～650℃。

作为上述技术方案的优选，所述背面镀膜处理步骤中：通入流量为4～6slm的N₂O，70～90％的三甲胺液体，经过50-80s，膜厚度控制在100～150nm，折射率控制在2.0～2.15之间。

作为上述技术方案的优选，所述正面PECVD镀膜处理步骤中膜厚控制在75～95nm之间，折射率控制在2.0～2.15之间。

本发明的有益效果是：本发明的抗PID太阳能电池片的制备方法，无需增加任何设备，采用相对简单的工艺，兼顾了多层减反射膜的优势，同时增加减反射膜表面钝化效果，提高了太阳能电池片的转化效率同时降低电池片的PID效应。

具体实施方式

下面将对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。