[发明专利]一种晶圆片减薄方法、装置和卸片夹具

权利要求书

1.一种晶圆片减薄方法，其特征在于，所述方法包括：

将多个待减薄晶圆片与基板进行键合处理，得到多个键合后晶圆片；

对所述多个键合后晶圆片进行一次减薄处理，得到多个一次减薄后晶圆片；其中，所述一次减薄处理用于指示通过第一设备进行减薄处理；

对所述多个一次减薄后晶圆片进行二次减薄处理，得到多个待解键合晶圆片；其中，所述二次减薄处理用于指示通过第二设备进行减薄处理；

对所述多个待解键合晶圆片进行解键合处理，得到多个减薄后的晶圆片；

其中，所述第一设备为grinding磨削设备，所述第二设备为lapping研磨设备。

2.根据权利要求1所述的晶圆片减薄方法，其特征在于，所述对所述多个键合后晶圆片进行一次减薄处理，得到多个一次减薄后晶圆片，包括：

确定第一厚度参数；

通过第一设备对所述多个键合后晶圆片进行一次减薄处理，得到厚度为所述第一厚度参数的所述多个一次减薄后晶圆片。

3.根据权利要求1所述的晶圆片减薄方法，其特征在于，所述对所述多个一次减薄后晶圆片进行二次减薄处理，得到多个待解键合晶圆片，包括：

确定第二厚度参数；

通过第二设备对所述多个一次减薄后晶圆片进行二次减薄处理，得到厚度为所述第二厚度参数的多个二次减薄后晶圆片；

基于所述多个二次减薄后晶圆片，获得所述多个待解键合晶圆片。

4.根据权利要求3所述的晶圆片减薄方法，其特征在于，当所述第二厚度参数为目标晶圆片厚度时，所述基于所述多个二次减薄后晶圆片，获得所述多个待解键合晶圆片，包括：

对所述多个二次减薄后晶圆片进行腐蚀处理，得到所述多个待解键合晶圆片；其中，所述腐蚀处理用于增加所述多个待减薄晶圆片的表面粗糙度。

5.根据权利要求4所述的晶圆片减薄方法，其特征在于，所述对所述多个二次减薄后晶圆片进行腐蚀处理，包括：

通过腐蚀设备对所述多个二次减薄后晶圆片进行腐蚀处理；其中，所述腐蚀设备至少包括盐酸溶液。

6.根据权利要求3所述的晶圆片减薄方法，其特征在于，当所述第二厚度参数大于目标晶圆片厚度时，所述基于所述多个二次减薄后晶圆片，获得所述多个待解键合晶圆片，包括：

对所述多个二次减薄后晶圆片进行抛光处理，得到厚度为目标厚度参数的所述多个抛光后晶圆片；其中，所述抛光处理用于释放所述多个待减薄晶圆片的残余应力；

对所述多个抛光后晶圆片进行腐蚀处理，得到所述多个待解键合晶圆片。

7.根据权利要求6所述的晶圆片减薄方法，其特征在于，所述对所述多个二次减薄后晶圆片进行抛光处理，包括：

通过抛光设备对所述多个二次减薄后晶圆片进行抛光处理；其中，所述抛光设备至少包括溴甲醇溶液。

8.根据权利要求1所述的晶圆片减薄方法，其特征在于，所述将多个待减薄晶圆片与基板进行键合处理，得到多个键合后晶圆片，包括：

获取临时键合材料；

利用粘片机将所述多个待减薄晶圆片和所述临时键合材料键合到所述基板上，得到所述多个键合后晶圆片。

9.根据权利要求8所述的晶圆片减薄方法，其特征在于，所述对所述多个待解键合晶圆片进行解键合处理，得到多个减薄后的晶圆片，包括：

利用卸片夹具将所述多个待解键合晶圆片和所述基板浸泡于预设温度的溶解液中，并对所述溶解液进行加热；

当加热时长达到预设值时，通过所述卸片夹具将所述多个待解键合晶圆片与所述基板分离，得到所述多个减薄后的晶圆片。

10.根据权利要求9所述的晶圆片减薄方法，其特征在于，所述临时键合材料至少包括固态蜡，所述溶解液至少包括去蜡液。