[发明专利]一种晶圆片减薄方法、装置和卸片夹具

说明书

本申请实施例提供一种晶圆片减薄方法、装置和卸片夹具，将多个待减薄晶圆片与基板进行键合处理，得到多个键合后晶圆片；对所述多个键合后晶圆片进行一次减薄处理，得到多个一次减薄后晶圆片；对所述多个一次减薄后晶圆片进行二次减薄处理，得到多个待解键合晶圆片；对所述多个待解键合晶圆片进行解键合处理，得到多个减薄后的晶圆片；对所述多个待解键合晶圆片进行解键合处理，得到多个减薄后的晶圆片。这样，在第一设备对晶圆片进行减薄后，再利用第二设备对晶圆片进行减薄，能够去除一次减薄过程中所造成的放射纹和损伤层，有效避免了后续进行更加复杂的加工处理，从而降低了晶圆片减薄的加工成本，同时提高了晶圆片减薄的加工效率。

技术领域

本申请涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种晶圆片减薄方法、装置和卸片夹具。

背景技术

从集成电路断面结构来看，大部分集成电路是在硅基体材料的浅表面层上制造。集成电路制造工艺对晶圆片的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构提出了很高要求。因此，在集成电路制造工艺中并不会从一开始就采用非常薄的晶圆片，而是采用一定厚度的晶圆片在制造工艺过程中传递、流传，然后在集成电路封装前从晶圆片的背面去除一定厚度的基体材料，即晶圆片减薄工艺。

然而，针对晶圆片的减薄处理，目前的相关技术方案仍然存在加工成本高和效率低的问题。

发明内容

本申请实施例提供了一种晶圆片减薄方法、装置和卸片夹具，能够降低晶圆片减薄的加工成本以及提高晶圆片减薄的加工效率。

本申请实施例的技术方案是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供了一种晶圆片减薄方法，该方法包括：

将多个待减薄晶圆片与基板进行键合处理，得到多个键合后晶圆片；

对所述多个键合后晶圆片进行一次减薄处理，得到多个一次减薄后晶圆片；其中，所述一次减薄处理用于指示通过第一设备进行减薄处理；

对所述多个一次减薄后晶圆片进行二次减薄处理，得到多个待解键合晶圆片；其中，所述二次减薄处理用于指示通过第二设备进行减薄处理；

对所述多个待解键合晶圆片进行解键合处理，得到多个减薄后的晶圆片；

其中，所述第一设备为grinding磨削设备，所述第二设备为lapping研磨设备。

第二方面，本申请施例提供了一种晶圆片减薄装置，该晶圆片减薄装置包括粘片机、第一设备、第二设备和卸片夹具；其中，

粘片机，用于将多个待减薄晶圆片与基板进行键合处理，得到多个键合后晶圆片；

第一设备，用于对所述多个键合后晶圆片进行一次减薄处理，得到多个一次减薄后晶圆片；

第二设备，对所述多个一次减薄后晶圆片进行二次减薄处理，得到多个待解键合晶圆片；

卸片夹具，用于对所述多个待解键合晶圆片进行解键合处理，得到多个减薄后的晶圆片；

其中，所述第一设备为grinding磨削设备，所述第二设备为lapping研磨设备。

第三方面，本申请施例提供了一种卸片夹具，所述卸片夹具包括支撑组件、卸片组件；其中，

所述支撑组件包括底板、立柱、活动杆和提把，所述立柱固定于所述底板上，所述活动杆与所述底板活动连接，所述提把与所述立柱的顶端固定连接，且与所述活动杆的顶端可拆卸连接；

所述卸片组件包括多个卸片层板，所述多个卸片层板套装在所述立柱上，且每一卸片层板上设置有夹持件，所述夹持件用于夹持基板。