[发明专利]NORD闪存器件的制作方法

权利要求书

1.一种NORD闪存器件的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底和STI结构上形成衬垫氧化层，所述衬底所在的平面包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和第二有源区之间形成有所述STI结构，所述第一有源区和所述第二有源区分别用于形成不同掺杂类型的器件；

对所述第一区域进行第一类型的离子注入；

对所述第二区域进行第二类型的离子注入，所述第一类型的离子注入和所述第二类型的离子注入的掺杂类型不同；

对所述衬底上的衬垫氧化层进行刻蚀去除；

在所述衬底上形成第一栅氧层；

通过干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺对所述第一栅氧层进行刻蚀去除；

在所述衬底上形成第二栅氧层，所述第二栅氧层的厚度小于所述第一栅氧层的厚度；

在所述第二栅氧层和所述STI结构上形成多晶硅层；

对所述多晶硅层进行刻蚀，剩余的多晶硅层在所述第一有源区形成第一栅极，剩余的多晶硅层在所述第一有源区形成第二栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成第一栅氧层之后，所述第一栅氧层的厚度为120埃至250埃。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过干法刻蚀工艺进行刻蚀时的偏置电压为30伏特至70伏特。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过干法刻蚀工艺进行刻蚀的刻蚀厚度为80埃至150埃。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述通过湿法刻蚀工艺进行刻蚀的刻蚀厚度为40埃至100埃。

6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底和所述STI结构上形成所述衬垫氧化层之后，所述衬垫氧化层的厚度小于120埃。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成第一栅氧层，包括：

在所述衬底上形成高压氧化层；

在所述高压氧化层上形成厚栅氧层，所述高压氧化层和所述厚栅氧层形成所述第一栅氧层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成高压氧化层，包括：

通过炉管工艺在所述衬底上形成所述高压氧化层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述高压氧化层上形成厚栅氧层，包括：

通过炉管内化学反应沉积工艺在所述高压氧化层上形成所述厚栅氧层。