[发明专利]NORD闪存器件的制作方法

说明书

本申请公开了一种NORD闪存器件的制作方法，包括：对衬底上的衬垫氧化层进行刻蚀去除，衬底所在的平面包括第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区之间形成有STI结构；在衬底上形成第一栅氧层；通过干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺对第一栅氧层进行刻蚀去除；在衬底上形成第二栅氧层，第二栅氧层的厚度小于第一栅氧层的厚度；在第二栅氧层和STI结构上形成多晶硅层；对多晶硅层进行刻蚀，在第一有源区形成第一栅极，在第二有源区形成第二栅极。本申请通过在NORD闪存器件的制作过程中，通过干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺对第一栅氧层进行去除能够使STI结构刻蚀的凹坑深度较浅，从而提高了器件的可靠性。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种NORD闪存(flash)器件的制作方法。

背景技术

采用非易失性存储(non-volatile memory，NVM)技术的存储器目前被广泛应用于智能手机、平板电脑、数码相机、通用串行总线闪存盘(universal serial bus flashdisk，USB闪存盘，简称“U盘”)等具有存储功能的电子产品中。

NVM存储器中，NORD闪存具有传输效率高，在1MB至4MB的容量时成本较低的特点，其通常包括在衬底上形成的存储器件阵列(cell array)和位于存储器件阵列周围的逻辑器件。

相关技术中，在浮栅结构的NORD闪存器件的制作过程中，在逻辑器件区域，由于N型沟道金属氧化物半导体场效应管(N-type channel field effect transistor，NFET)与P型沟道金属氧化物半导体场效应管(P-type channel field effect transistor，PFET)的离子注入具有差异，会导致NFET和PFET之间的浅槽隔离(shallow trench isolation，STI结构)结构出现一定程度的晶格损伤，在后续的一系列湿法刻蚀工艺中会导致STI结构的凹坑(divot)过深，造成漏电流增大，而且也增大了后续多晶硅栅和氮化硅等侧墙刻蚀的难度，使得器件的可靠性较低。

发明内容

本申请提供了一种NORD闪存器件的制作方法，可以解决相关技术中提供的NORD闪存器件的制作方法会有较大几率导致STI结构的凹坑过深，从而导致器件的可靠性较低的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种NORD闪存器件的制作方法，包括：

对衬底上的衬垫氧化层(coupling oxide)进行刻蚀去除，所述衬底所在的平面包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和第二有源区之间形成有STI结构，所述第一有源区和所述第二有源区分别用于形成不同掺杂类型的器件；

在所述衬底上形成第一栅氧层；

通过干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺对所述第一栅氧层进行刻蚀去除；

在所述衬底上形成第二栅氧层，所述第二栅氧层的厚度小于所述第一栅氧层的厚度；

在所述第二栅氧层和所述STI结构上形成多晶硅层；

对所述多晶硅层进行刻蚀，剩余的多晶硅层在所述第一有源区形成第一栅极，剩余的多晶硅层在所述第一有源区形成第二栅极。

可选的，所述在所述衬底上形成第一栅氧层之后，所述第一栅氧层的厚度为120埃至250埃。

可选的，所述通过干法刻蚀工艺进行刻蚀时的偏置电压为30伏特(V)至70伏特。

可选的，所述通过干法刻蚀工艺进行刻蚀的刻蚀厚度为80埃至150埃。

可选的，所述通过湿法刻蚀工艺对进行刻蚀的刻蚀厚度为40埃至100埃。

可选的，其特征在于，所述对衬底上的衬垫氧化层进行刻蚀去除之前，还包括：