[发明专利]一种显示基板、显示面板、显示装置和制作方法在审

专利信息
申请号: 202011007604.0 申请日: 2020-09-23
公开(公告)号: CN112133728A 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 高涛;孙阔;周伟峰 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56;H01L27/12
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 金俊姬
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 显示 面板 显示装置 制作方法
【权利要求书】:

1.一种显示基板,其特征在于,具有设置低温多晶硅晶体管的第一区域,以及设置氧化物晶体管的第二区域,其中,所述显示基板包括:

衬底基板;

第一源漏极层,位于所述衬底基板的一侧,所述第一源漏极层包括:位于所述第一区域的第一源漏极,以及位于所述第二区域的第一栅极;

第一有源层,位于所述第一源漏极层的背离所述衬底基板的一侧,所述第一有源层包括位于所述第一区域的多晶硅有源层;

第一栅极层,位于所述第一有源层的背离第一源漏极层的一侧,所述第一栅极层包括:位于所述第一区域的第二栅极和连接电极,其中,所述连接电极与所述第一源漏极电连接;

第二有源层,位于所述第一栅极层的背离所述第一有源层的一侧,所述第二有源层包括:位于所述第二区域的氧化物有源层;

第二栅极层,位于所述第二有源层的背离所述第一栅极层的一侧,所述第二栅极层包括:位于所述第二区域的第三栅极;

第二源漏极层,位于所述第二栅极层的背离所述第二有源层的一侧,所述第二源漏极层包括:位于所述第二区域的第二源漏极,以及位于所述第一区域的搭接电极,其中,所述第二源漏极与所述氧化物有源层电连接;所述搭接电极一端与所述连接电极电连接,另一端与所述多晶硅有源层电连接。

2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一源漏极层还包括第一电容电极,所述第一有源层还包括第二电容电极,所述第一栅极层还包括第三电容电极;其中,所述第三电容电极在所述衬底基板的正投影与所述第二电容电极在所述衬底基板的正投影存在交叠区域,所述第二电容电极在所述衬底基板的正投影与所述第一电容电极在所述衬底基板的正投影存在交叠区域。

3.如权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第三电容电极具有镂空区域;所述第二源漏极层还包括电容连接线,所述电容连接线穿过所述镂空区域与所述第二电容电极电连接。

4.如权利要求1-3任一项所述的显示基板,其特征在于,所述第一有源层与所述第一栅极层之间还具有第一栅极绝缘层,所述第一有源层与所述第一源漏极层之间还具有缓冲层;

所述缓冲层和所述第一栅极绝缘层在所述第一栅极所在区域具有暴露所述第一栅极的第一凹槽;所述氧化物晶体管位于所述第一凹槽所在区域内。

5.如权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板包括显示区域,以及位于所述显示区域外围的弯折区域;

所述显示基板在所述弯折区域具有暴露所述衬底基板的第二凹槽;所述第二源漏极层在所述弯折区域还包括位于所述第二凹槽的电源线;

所述第二源漏极层的背离所述第二栅极层的一侧还具有平坦层,所述平坦层填充所述第二凹槽除所述电源线所在区域以外的其它区域。

6.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二栅极绝缘层的图案与所述第三栅极的图案相同;所述第二栅极绝缘层在所述衬底基板的正投影面积小于所述氧化物有源层在所述衬底基板的正投影。

7.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一源漏极层的材质为铝合金材料或钼合金材料。

8.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述氧化物晶体管为开关晶体管,所述低温多晶硅晶体管为驱动晶体管。

9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的显示基板。

10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的显示面板。

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