[发明专利]一种显示基板、显示面板、显示装置和制作方法在审
申请号: | 202011007604.0 | 申请日: | 2020-09-23 |
公开(公告)号: | CN112133728A | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 高涛;孙阔;周伟峰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 金俊姬 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 制作方法 | ||
本发明公开了一种显示基板、显示面板、显示装置和制作方法,以提供一种新型的低温多晶硅氧化物薄膜晶体管。所述显示基板,包括:衬底基板;第一源漏极层,包括:位于所述第一区域的第一源漏极,以及位于所述第二区域的第一栅极;第一有源层,包括位于所述第一区域的多晶硅有源层;第一栅极层,包括:位于所述第一区域的第二栅极和连接电极;第二有源层,包括:位于所述第二区域的氧化物有源层;第二栅极层,包括:位于所述第二区域的第三栅极;第二源漏极层,包括:位于所述第二区域的第二源漏极,以及位于所述第一区域的搭接电极。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板、显示面板、显示装置和制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diade,以下简称OLED)显示技术与传统的液晶显示器(Liquid Crystal Display,以下简称LCD)不同,OLED无需背光源,而是采用有机发光材料,当有电流通过时,这些有机发光材料就会发光。通过采用非常薄的有机材料涂层,使得OLED显示屏幕可以做的更轻更薄,且OLED显示屏幕可视角度更大,并且能够显著节省电能。
低温多晶硅氧化物薄膜晶体管(Low Temperature Poly-Oxide TFT,以下简称LTPO TFT)技术是近年来新兴的薄膜晶体管技术。从理论上讲,LTPO TFT相比传统的低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-Silicon TFT,以下简称LTPS TFT)技术而言,可以节省5-15%的电量,让整块显示屏幕的功耗更低。
发明内容
本发明提供一种显示基板、显示面板、显示装置和制作方法,以提供一种新型的低温多晶硅氧化物薄膜晶体管。
本发明实施例提供一种显示基板,具有设置低温多晶硅晶体管的第一区域,以及设置氧化物晶体管的第二区域,其中,所述显示基板包括:
衬底基板;
第一源漏极层,位于所述衬底基板的一侧,所述第一源漏极层包括:位于所述第一区域的第一源漏极,以及位于所述第二区域的第一栅极;
第一有源层,位于所述第一源漏极层的背离所述衬底基板的一侧,所述第一有源层包括位于所述第一区域的多晶硅有源层;
第一栅极层,位于所述第一有源层的背离第一源漏极层的一侧,所述第一栅极层包括:位于所述第一区域的第二栅极和连接电极,其中,所述连接电极与所述第一源漏极电连接;
第二有源层,位于所述第一栅极层的背离所述第一有源层的一侧,所述第二有源层包括:位于所述第二区域的氧化物有源层;
第二栅极层,位于所述第二有源层的背离所述第一栅极层的一侧,所述第二栅极层包括:位于所述第二区域的第三栅极;
第二源漏极层,位于所述第二栅极层的背离所述第二有源层的一侧,所述第二源漏极层包括:位于所述第二区域的第二源漏极,以及位于所述第一区域的搭接电极,其中,所述第二源漏极与所述氧化物有源层电连接;所述搭接电极一端与所述连接电极电连接,另一端与所述多晶硅有源层电连接。
在一种可能的实施方式中,所述第一源漏极层还包括第一电容电极,所述第一有源层还包括第二电容电极,所述第一栅极层还包括第三电容电极;其中,所述第三电容电极在所述衬底基板的正投影与所述第二电容电极在所述衬底基板的正投影存在交叠区域,所述第二电容电极在所述衬底基板的正投影与所述第一电容电极在所述衬底基板的正投影存在交叠区域。
在一种可能的实施方式中,所述第三电容电极具有镂空区域;所述第二源漏极层还包括电容连接线,所述电容连接线穿过所述镂空区域与所述第二电容电极电连接。
在一种可能的实施方式中,所述第一有源层与所述第一栅极层之间还具有第一栅极绝缘层,所述第一有源层与所述第一源漏极层之间还具有缓冲层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的