[发明专利]控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法

说明书

公开一种控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法。所述方法包括：在初始驱动时段，收集指示非易失性存储器装置的第一存储器区域的劣化因素的第一参数和指示在第一存储器区域发生的劣化的程度的第二参数；基于第一参数和第二参数选择多个函数模型中的第一函数模型，并且基于第一函数模型来预测第一存储器区域的第一错误趋势；基于第一错误趋势来确定第一可靠性间隔；以及基于第一可靠性间隔对非易失性存储器装置的第一存储器区域执行第一可靠性操作。

本申请要求于2019年10月11日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0126049号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

在此描述的发明构思的实施例涉及半导体存储器装置，更具体地，涉及被配置为控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法。

背景技术

半导体存储器装置被划分为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置仅在装置被供电时保持它的数据。易失性存储器装置的示例包括：静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM)。非易失性存储器装置即使在没电的情况下也保持数据。非易失性存储器装置的示例包括：闪存装置、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)或铁电式RAM(FRAM)。

闪存装置正在被广泛地用作高容量存储介质。闪存装置的物理特性或各种环境因素可导致闪存装置中的数据错误。数据错误可通过单独的纠错手段来纠正。然而，可能出现超过单独的纠错手段的纠错能力的错误。在这种情况下，存储在闪存装置中的数据的可靠性可能无法保证。

发明内容

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种包括非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法，所述方法包括：在初始驱动时段，收集指示非易失性存储器装置的第一存储器区域的劣化因素的第一参数和指示在第一存储器区域发生的劣化的程度的第二参数；基于第一参数和第二参数选择多个函数模型中的第一函数模型，并且基于第一函数模型来预测第一存储器区域的第一错误趋势；基于第一错误趋势来确定第一可靠性间隔；以及基于第一可靠性间隔对非易失性存储器装置的第一存储器区域执行第一可靠性操作。

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种被配置为控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法，所述方法包括：在初始驱动时段，获得指示非易失性存储器装置的第一存储器区域的劣化因素的第一参数和指示在第一存储器区域发生的劣化的程度的第二参数；通过基于训练模型执行机器学习来识别第一存储器区域的第一错误趋势，训练模型在非易失性存储器装置的错误趋势、第一参数和第二参数上训练；基于第一错误趋势来确定第一可靠性间隔；以及基于第一可靠性间隔对非易失性存储器装置的第一存储器区域执行第一可靠性操作。

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种被配置为控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法，所述方法包括：在初始驱动时段，从非易失性存储器装置的第一存储器区域收集第一参数集并且从非易失性存储器装置的第二存储器区域收集第二参数集；基于第一参数集预测第一存储器区域的第一错误趋势，并且基于第二参数集预测第二错误趋势；基于第一错误趋势来决定第一可靠性间隔，并且基于第二错误趋势来决定第二可靠性间隔；以及基于第一可靠性间隔对第一存储器区域执行第一可靠性操作，并且基于第二可靠性间隔对第二存储器区域执行第二可靠性操作。

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种包括非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法，所述方法包括：获得与施加到非易失性存储器装置的第一存储器区域的劣化因素对应的第一参数和与在第一存储器区域的劣化的量对应的第二参数；基于第一参数和第二参数从多个函数模型选择第一函数模型，并且基于第一函数模型确定第一存储器区域的错误大小；基于错误大小来确定可靠性间隔；以及基于可靠性间隔对非易失性存储器装置的第一存储器区域执行可靠性操作。

附图说明

通过参照附图详细描述发明构思的示例性实施例，发明构思的以上和其他特征将变得更清楚。