[发明专利]FinFET接触结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上方形成第一栅极结构；

外延生长第一半导体材料以在半导体衬底中形成第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域，所述第一漏极/源极区域和所述第二漏极/源极区域位于所述第一栅极结构的相对侧；

向所述第一漏极/源极区域和所述第二漏极/源极区域的顶面施加第一蚀刻工艺，并且作为所述第一蚀刻工艺的结果，在所述第一漏极/源极区域中形成第一凹部且在所述第二漏极/源极区域中形成第二凹部；以及

形成第一漏极/源极接触件和第二漏极/源极接触件，其中：

所述第一漏极/源极接触件的底部位于所述第一凹部中；并且

所述第二漏极/源极接触件的底部位于所述第二凹部中，

其中，在平行于所述第一栅极结构的延伸方向的截面上以及在垂直于所述第一栅极结构的延伸方向的截面上，所述第一凹部和所述第二凹部均呈现为向下凹陷的曲线。

2.根据权利要求1所述的形成半导体器件的方法，还包括：

形成位于所述第一漏极/源极区域下方的第一位错平面；以及

形成位于所述第二漏极/源极区域下方的第二位错平面，其中所述第一位错平面平行于所述第二位错平面。

3.根据权利要求2所述的形成半导体器件的方法，其中：

在外延生长所述第一半导体材料的步骤之前，在所述半导体衬底上方形成所述第一栅极结构。

4.根据权利要求3所述的形成半导体器件的方法，还包括：

在所述半导体衬底上方形成第二栅极结构；

外延生长第二半导体材料以在所述半导体衬底中形成第三漏极/源极区域和第四漏极/源极区域，其中，所述第三漏极/源极区域和所述第四漏极/源极区域位于所述第二栅极结构的相对侧；以及

向所述第三漏极/源极区域和所述第四漏极/源极区域的顶面施加所述第一蚀刻工艺，并且作为所述第一蚀刻工艺的结果，形成所述第三漏极/源极区域和所述第四漏极/源极区域的凹陷顶面。

5.根据权利要求4所述的形成半导体器件的方法，其中：

所述第一漏极/源极区域、所述第二漏极/源极区域和所述第一栅极结构形成n型晶体管；以及

所述第三漏极/源极区域、所述第四漏极/源极区域和所述第二栅极结构形成p型晶体管。

6.根据权利要求1所述的形成半导体器件的方法，其中：

在前段制程(FEOL)工艺之后且在后段制程(BEOL)工艺之前执行的中段制程(MEOL)工艺中形成所述第一凹部和所述第二凹部。

7.根据权利要求1所述的形成半导体器件的方法，其中：

所述第一凹部的深度在5nm至25nm的范围内；以及

所述第二凹部的深度在5nm至25nm的范围内。

8.一种半导体器件，包括：

衬底，包括通过隔离区域分离的第一部分和第二部分；

第一栅极结构，位于所述第一部分上方；

第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域，位于所述第一部分中且位于所述第一栅极结构的相对侧，其中，所述第一漏极/源极区域和所述第二漏极/源极区域具有凹面，其中，在平行于所述第一栅极结构的延伸方向的截面上以及在垂直于所述第一栅极结构的延伸方向的截面上，所述凹面均呈现为向下凹陷的曲线；

第二栅极结构，位于所述第二部分上方；以及

第三漏极/源极区域和第四漏极/源极区域，位于所述第二部分中且位于所述第二栅极结构的相对侧，其中，所述第三漏极/源极区域和所述第四漏极/源极区域具有凹面，其中，在平行于所述第二栅极结构的延伸方向的截面上以及在垂直于所述第二栅极结构的延伸方向的截面上，所述第三漏极/源极区域和所述第四漏极/源极区域的凹面均呈现为向下凹陷的曲线。