[发明专利]一种锂电池低耗电控制电路有效

专利信息
申请号: 202011009533.8 申请日: 2020-09-23
公开(公告)号: CN112260337B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 江保力;曹学武;王宇峰;刘辉聪;阮翔 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十二研究所
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 杨天娇
地址: 310012*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 锂电池 耗电 控制电路
【权利要求书】:

1.一种锂电池低耗电控制电路,包括与所述锂电池低耗电控制电路连接的负载电路,其特征在于:所述锂电池低耗电控制电路包括依次连接的电池、开机控制单元(1)、电池通断控制单元(2)和P-MOSFET晶体管V1,其中:

所述电池通断控制单元(2)的输入端连接所述开机控制单元(1)的输出端,所述P-MOSFET晶体管V1的源极连接所述电池的正极,漏极连接所述负载电路的正极,栅极连接所述电池通断控制单元(2)的输出端;

所述电池为所述开机控制单元(1)、所述电池通断控制单元(2)和所述负载电路供电,开机时,所述开机控制单元(1)输出控制信号并通过所述电池通断控制单元(2)控制所述P-MOSFET晶体管V1导通为所述负载电路供电,关机时,所述电池通断控制单元(2)截止,控制所述P-MOSFET晶体管V1断开,停止为所述负载电路供电;

所述开机控制单元(1),包括按键开关S1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、N-MOSFET晶体管V2和N-MOSFET晶体管V3,其中:

所述电阻R2的一端连接所述电池的正极,另一端经所述电阻R3连接所述电池的负极,所述电阻R2和所述电阻R3的公共端为第一公共端;

所述电阻R4的一端连接所述电池的正极,另一端经所述电阻R5连接所述电池的负极,所述电阻R4和所述电阻R5的公共端为第二公共端;

所述按键开关S1的一端连接所述电池的负极,另一端连接所述第一公共端;

所述N-MOSFET晶体管V2的栅极连接所述第一公共端,源极连接所述电池的负极,漏极连接所述第二公共端;

所述N-MOSFET晶体管V3的栅极连接所述第二公共端,源极连接所述电池的负极,漏极为所述开机控制单元(1)的输出端,并连接所述电池通断控制单元(2)的输入端;

或所述开机控制单元(1),包括按键开关S1、电阻R2、电阻R4、NPN晶体管A2和NPN晶体管A3,其中:

所述电阻R2的一端连接所述电池的正极,另一端连接所述按键开关S1和所述NPN晶体管A2的基极,所述按键开关S1的另一端和所述NPN晶体管A2的发射极连接所述电池的负极;

所述电阻R4的一端连接所述电池的正极,另一端连接所述NPN晶体管A2的集电极和所述NPN晶体管A3的基极,所述NPN晶体管A3的发射极连接所述电池的负极,集电极为所述开机控制单元(1)的输出端,并连接所述电池通断控制单元(2)的输入端。

2.如权利要求1所述的锂电池低耗电控制电路,其特征在于:所述电池通断控制单元(2),包括电阻R6、电阻R7和N-MOSFET晶体管V4,其中:

所述电阻R6的一端连接所述电池的正极,另一端经所述电阻R7连接所述N-MOSFET晶体管V4的漏极,所述N-MOSFET晶体管V4的源极连接所述电池的负极,栅极连接微控制单元或嵌入式控制器,漏极为所述电池通断控制单元(2)的输入端,并连接所述开机控制单元(1)的输出端;

所述电阻R6和所述电阻R7的公共端为第三公共端,所述第三公共端为所述电池通断控制单元(2)的输出端,所述P-MOSFET晶体管V1的栅极连接所述第三公共端。

3.如权利要求1所述的锂电池低耗电控制电路,其特征在于:所述电池通断控制单元(2),包括电阻R6、电阻R7和NPN晶体管A4,其中:

所述电阻R6的一端连接所述电池的正极,另一端经所述电阻R7连接所述NPN晶体管A4的集电极,所述NPN晶体管A4的发射极连接所述电池的负极,基极连接微控制单元或嵌入式控制器,集电极为所述电池通断控制单元(2)的输入端,并连接所述开机控制单元(1)的输出端;

所述电阻R6和所述电阻R7的公共端为第三公共端,所述第三公共端为所述电池通断控制单元(2)的输出端,所述P-MOSFET晶体管V1的栅极连接所述第三公共端。

4.如权利要求1至3任一权利要求所述的锂电池低耗电控制电路,其特征在于:所述按键开关S1为自动复位式按键开关。

5.如权利要求4所述的锂电池低耗电控制电路,其特征在于:所述按键开关S1还连接有按键防抖电路。

6.如权利要求4所述的锂电池低耗电控制电路,其特征在于:所述P-MOSFET晶体管V1还连接有用于使其延时导通的电路。

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