[发明专利]用于基于动态接近度的管芯上终结的技术

权利要求书

1.一种存储器设备，包括：

一个或多个寄存器，其被布置为维护管芯上终结(ODT)设置；以及

控制电路，其用于：

接收关于命令将由与相同的数据通道耦合的单独的存储器设备执行的指示；

读取所述一个或多个寄存器，以基于指示所述单独的存储器设备与所述存储器设备的接近度的第一组标识符，并且基于所述命令是读取命令还是写入命令，来确定在所述命令的执行期间要应用什么ODT设置。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，包括：所述存储器设备位于包括所述单独的存储器设备的第一封装上，所述存储器设备被布置为用于所述第一封装的终结存储器设备。

3.根据权利要求2所述的存储器设备，包括：所述第一组标识符被指派给所述第一封装，以指示所述单独的存储器设备位于相同的封装上，所述命令是写入命令，所述控制电路用于使得所述存储器设备在对所述单独的存储器设备的写入操作期间提供Hi_z ODT设置。

4.根据权利要求1所述的存储器设备，包括：所述存储器设备位于包括至少一个其他存储器设备的第一封装上，所述存储器设备被布置为用于所述第一封装的终结存储器设备，所述单独的存储器设备位于第二封装上，所述第一组标识符被指派给所述第二封装，所述第一组标识符用于指示所述单独的存储器设备位于不同的封装上。

5.根据权利要求4所述的存储器设备，包括：所述命令是读取命令，所述控制电路用于使得所述存储器设备：如果所述第二封装位于所述第一封装邻近或附近，则在读取操作期间提供第一ODT设置，或者如果所述第二封装不位于所述第一封装邻近，则在所述读取操作期间提供第二ODT设置。

6.根据权利要求1所述的存储器设备，包括：所述命令是从存储设备的控制器接收的。

7.根据权利要求6所述的存储器设备，包括：所述存储器设备包括非易失性类型的存储器，所述存储设备是固态驱动器。

8.根据权利要求7所述的存储器设备，所述非易失性类型的存储器包括：相变存储器，纳米线存储器，铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)，反铁电存储器，包括金属氧化物基底、氧空位基底和导电桥随机存取存储器(CB-RAM)的电阻存储器，自旋电子磁结存储器，磁隧穿结(MTJ)存储器，畴壁(DW)和自旋轨道转移(SOT)存储器，基于晶闸管的存储器阵列，结合了忆阻器技术的磁阻随机存取存储器(MRAM)或自旋转移转矩MRAM(STT-MRAM)。

9.一种装置，包括：

输入/输出(I/O)接口电路，其用于与第一存储器设备耦合；以及

电路，其用于执行程序逻辑，所述程序逻辑用于：

经由所述I/O接口电路在所述第一存储器设备处对第一寄存器进行编程，以使得所述第一寄存器指示当所述第一存储器设备是用于第一组存储器设备的终结存储器设备时要选择的多个管芯上终结(ODT)类型，所述多个ODT类型基于是读取命令还是写入命令将由被包括在所述第一组存储器设备中的第二存储器设备执行还是将由被包括在第二组存储器设备中的第三存储器设备执行；以及

经由所述I/O接口电路在所述第一存储器设备处对第二寄存器进行编程，以使得所述第二寄存器基于写入命令将由所述第二存储器设备还是由所述第三存储器设备执行，来指示具有要应用的单独的ODT设置的至少两个ODT类型。

10.根据权利要求9所述的装置，包括：所述第一组存储器设备位于被指派有第一组标识符的第一封装上，所述第二组存储器设备位于被指派有第二组标识符的第二封装上，其中，被包括在第三组存储器设备中的第四存储器设备位于被指派有第三组标识符的第三封装上，所述第一封装、所述第二封装和所述第三封装经由相同的数据总线耦合到所述I/O接口电路，所述第二封装位于所述第一封装的邻近或附近，所述第三封装不位于所述第一封装邻近。