[发明专利]用于基于动态接近度的管芯上终结的技术

说明书

用于基于接近度的管芯上终结(ODT)技术包括存储器设备，该存储器设备基于存储器设备与另一存储器设备的接近度以及命令是读取命令还是写入命令，来确定在由耦合到与存储器设备相同的数据通道的另一存储器设备执行命令的期间要应用什么ODT设置。

技术领域

本文所描述的示例总体上涉及用于存储器设备处的管芯上终结(ondietermination)的技术。

背景技术

在具有与充当控制器的专用集成电路(ASIC)耦合的存储器设备或管芯的一些存储器系统中，在ASIC和存储器设备二者上提供了多个管芯上终结(ODT)引脚，以在存储器设备或管芯处控制内阻终结(RTT)的值和ODT的开和关定时。这些ODT引脚通常需要ASIC和给定的存储器设备或管芯之间的合作，以在对存储器设备或管芯的读取或写入操作期间考虑RTT的适当的时间量。

附图说明

图1示出了示例第一系统。

图2示出了示例第一寄存器表。

图3示出了示例第二寄存器表。

图4示出了示例第三寄存器表。

图5示出了示例第二系统。

图6示出了示例第一逻辑流。

图7示出了示例装置。

图8示出了示例第二逻辑流。

图9示出了示例存储介质。

图10示出了示例第三系统。

具体实施方式

与充当控制器的ASIC耦合以控制对存储器设备的访问的存储器设备可以被部署在存储设备中，例如但不限于固态驱动器(SSD)或双列直插式存储器模块(DIMM)。在一些示例中，多个存储器设备或管芯可以被包括在可以被称为“封装”的管芯组中。针对这些示例，多个封装可以经由单个数据或DQ通道与ASIC耦合。此外，多个DQ通道(例如，4到10个或更多)可以被包括在一些SSD解决方案或实施方式中。通常，可以在被包括在封装中的每个存储器设备或管芯处使用内阻终结(RTT)，以减少由于反射而产生的噪声并改善经由DQ通道与ASIC耦合的封装的信号完整性。通常通过每DQ通道使用多个ODT引脚以激活每个存储器设备处的RTT来满足当前的RTT需求。这总共需要ASIC上的10个ODT引脚，该ASIC充当用于这些SSD解决方案的控制器。对10个引脚的需要可能会负面地影响针对这些类型的SSD解决方案的成本，并且还可能会负面地限制针对ASIC的外形规格(form factor)。

图1示出了示例系统100。在一些示例中，如图1所示，系统100包括与被包括在多个封装105中的多个存储器设备120耦合的控制器110。在一些示例中，系统100可以是例如但不限于SSD的存储设备。如本文所公开的，对一个或多个存储器设备(例如，存储器设备120)的引用可以包括一个或多个不同的存储器类型。如本文所描述的，存储器设备可以指代非易失性或易失性存储器类型。一些非易失性存储器类型可以是块可寻址的(例如，NAND或NOR技术)。其他非易失性存储器类型可以是非易失性存储器的字节或块可寻址的类型，其具有三维(3-D)交叉点存储器结构，该结构包括但不限于在下文中被称为“3-D交叉点存储器”的硫族相变材料(例如，硫族玻璃)。非易失性类型的存储器还可以包括其他类型的字节或块可寻址的非易失性存储器，例如但不限于多阈值级NAND闪速存储器、NOR闪速存储器、单级或多级相变存储器(PCM)、电阻存储器、纳米线存储器、铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)、反铁电存储器、电阻存储器(包括金属氧化物基底、氧空位基底和导电桥随机存取存储器(CB-RAM))、自旋电子磁性结存储器、磁隧穿结(MTJ)存储器、畴壁(DW)和自旋轨道转移(SOT)存储器、基于晶闸管的存储器、结合了忆阻器技术的磁阻随机存取存储器(MRAM)、自旋转移转矩MRAM(STT-MRAM)或上述存储器中的任何存储器的组合。