[发明专利]一种固态碳化硅陶瓷先驱体的制备方法

权利要求书

1.一种固态碳化硅陶瓷先驱体的制备方法，其特征是：包括以下步骤：

步骤1、合成第一中间产物；

以第一原料与第二原料通过硅氢加成反应获得第一中间产物；

所述硅氢加成反应温度为20～200℃，反应时间为1～30h，从而制得所述第一中间产物；

所述第一原料与溶剂的质量比为1:0.5～15.0；

所述第一原料与所述第二原料的质量比为1:0.01～3.2；

所述第一原料的分子量为300～5000，软化点20～400℃；

所述步骤1中，所述第一原料为含有硅氢键的聚碳硅烷、聚铝碳硅烷、聚钛碳硅烷、聚锆碳硅烷、聚硼碳硅烷、聚氮碳硅烷、聚铍碳硅烷、聚铁碳硅烷、聚铜碳硅烷、聚钼碳硅烷、聚钨碳硅烷、聚钴碳硅烷中的至少一种；

所述步骤1中，所述第二原料选自以下化合物中的一种或多种：乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三异丙氧基硅烷、乙烯基三叔丁氧基硅烷、甲基乙烯基二乙氧基硅烷、甲基乙烯基二甲氧基硅烷、苯基乙烯基二乙氧基硅烷、苯基乙烯基二甲氧基硅烷、乙烯基三氯硅烷、甲基乙烯基二氯硅烷、丙烯基三氯硅烷、丙烯基三乙氧基硅烷、丙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯基二乙氧基硅烷、甲基丙烯基二甲氧基硅烷、二乙烯基二氯硅烷；

步骤2、还原所述第一中间产物制得第二中间产物；

向所述第一中间产物中加入还原剂，-20～120℃反应2～20h，将所述第一中间产物中的甲氧基、乙氧基、异丙氧基、叔丁氧基、氯还原为氢原子，从而制得所述第二中间产物；

步骤3、将所述第二中间产物进行固液分离处理，实现固液分离，再除去固体，从而制得所述固态碳化硅陶瓷先驱体的溶液。

2.根据权利要求1所述的一种固态碳化硅陶瓷先驱体的制备方法，其特征是：所述步骤2中，所述还原剂为氢化铝锂、氢化锂、氢化镁、氢化钠和红铝中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的一种固态碳化硅陶瓷先驱体的制备方法，其特征是：所述步骤1中，所述溶剂为二甲苯、甲苯、环己烷中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种固态碳化硅陶瓷先驱体的制备方法，其特征是：所述固液分离处理包括静置4～10h、离心处理10～100s中的至少一种。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种固态碳化硅陶瓷先驱体的制备方法，其特征是：所述固态碳化硅陶瓷先驱体分子量为800～5800。

6.根据权利要求5所述的一种固态碳化硅陶瓷先驱体的制备方法，其特征是：所述固态碳化硅陶瓷先驱体的硅氢键含量为0.45～1.20mol/100g。

7.根据权利要求5所述的一种固态碳化硅陶瓷先驱体的制备方法，其特征是：所述固态碳化硅陶瓷先驱体能发生脱氢自交联反应。

8.根据权利要求5所述的一种固态碳化硅陶瓷先驱体的制备方法，其特征是：所述固态碳化硅陶瓷先驱体脱氢自交联反应后，所述固态碳化硅陶瓷先驱体1000℃的陶瓷产率为70～89％。