[发明专利]具有加强结构的封装在审
申请号: | 202011014450.8 | 申请日: | 2020-09-24 |
公开(公告)号: | CN113380740A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 黄松辉;侯上勇;黄冠育 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/482;H01L23/498;H01L23/24 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 王素琴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 加强 结构 封装 | ||
一种封装包括第一管芯、第二管芯、半导体框架以及加强结构。第一管芯具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。第一管芯包括在第一表面上的凹槽。第二管芯及半导体框架并排配置在第一管芯的第一表面上。半导体框架具有暴露出第一管芯的凹槽的至少一个凹口。加强结构配置在第一管芯的第二表面上。加强结构包括与凹槽对准的第一部分。
技术领域
本发明实施例涉及一种封装。更具体来说,本发明实施例涉及一种具有加强结构的封装。
背景技术
用于各种电子装置(例如手机及其它移动电子设备)中的半导体装置及集成电路通常在单个半导体晶片(semiconductor wafer)上制造。晶片的管芯可在晶片级(waferlevel)下与其它半导体装置或管芯一起被处理及封装,且已开发了针对晶片级封装的各种技术。如何确保晶片级封装的可靠性已成为本领域中的挑战。
发明内容
一种封装包括第一管芯、第二管芯、半导体框架以及加强结构。所述第一管芯具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一管芯包括在所述第一表面上的凹槽。所述第二管芯及所述半导体框架并排配置在所述第一管芯的所述第一表面上。所述半导体框架具有暴露出所述第一管芯的所述凹槽的至少一个凹口。所述加强结构配置在所述第一管芯的所述第二表面上。所述加强结构包括与所述凹槽对准的第一部分。
附图说明
当结合随附图式阅读时,根据以下详细描述最佳地理解本公开的各方面。应注意的是,根据业界中的标准惯例,各种特征未按比例绘制。实际上,出于论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。
图1A到图1O是根据本公开的一些实施例的封装的制造工艺的示意性剖视图。
图2A是图1O中的封装的俯视图。
图2B是图1O中的封装的仰视图。
图3A是沿线II-II'截取的图2A中的封装的示意性剖视图。
图3B是沿线III-III'截取的图2A中的封装的示意性剖视图。
图4A是根据本公开的一些替代性实施例的封装的俯视图。
图4B是图4A中的封装的仰视图。
图5A是沿线I-I'截取的图4A中的封装的示意性剖视图。
图5B是沿线II-II'截取的图4A中的封装的示意性剖视图。
图5C是沿线III-III'截取的图4A中的封装的示意性剖视图。
图6A是根据本公开的一些替代性实施例的封装的俯视图。
图6B是图6A中的封装的仰视图。
图7A是沿线I-I'截取的图6A中的封装的示意性剖视图。
图7B是沿线II-II'截取的图6A中的封装的示意性剖视图。
图7C是沿线III-III'截取的图6A中的封装的示意性剖视图。
图8A是根据本公开的一些替代性实施例的封装的俯视图。
图8B是图8A中的封装的仰视图。
图9A是沿线I-I'截取的图8A中的封装的示意性剖视图。
图9B是沿线II-II'截取的图8A中的封装的示意性剖视图。
图9C是沿线III-III'截取的图8A中的封装的示意性剖视图。
附图标号说明
10、20、30、40:封装
100:虚设管芯
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