[发明专利]射线探测器基板及射线探测器

权利要求书

1.一种射线探测器基板，其特征在于，所述射线探测器基板包括：

衬底；

位于所述衬底一侧的多个光电探测器；所述多个光电探测器包括多个第一光电探测器和多个第二光电探测器；

分别位于所述多个光电探测器远离所述衬底一侧的多个调光部；所述多个调光部包括位于每个第一光电探测器远离所述衬底一侧的第一调光部，和位于每个第二光电探测器远离所述衬底一侧的第二调光部；

位于所述多个调光部远离所述衬底一侧的第一闪烁体层；以及，

位于所述第一闪烁体层远离所述衬底一侧的第二闪烁体层；

其中，所述第二闪烁体层被配置为，将入射至所述第二闪烁体层的射线中的一部分射线转换为第一辐射荧光，并使另一部分射线透过所述第二闪烁体层射向所述第一闪烁体层；

所述第一闪烁体层被配置为，将透过所述第二闪烁体层的所述另一部分射线转换为第二辐射荧光，并使所述第一辐射荧光和所述第二辐射荧光射向所述多个调光部；所述一部分射线的平均能量小于所述另一部分射线的平均能量，所述第一辐射荧光的波长大于所述第二辐射荧光的波长；

所述第一调光部被配置为，反射所述第二辐射荧光，并使所述第一辐射荧光透过，被所述第一光电探测器探测；

所述第二调光部被配置为，反射所述第一辐射荧光，并使所述第二辐射荧光透过，被所述第二光电探测器探测。

2.根据权利要求1所述的射线探测器基板，其特征在于，每个调光部包括至少一层第一调光层，以及至少一层第二调光层；

所述调光部所包括的所有所述第一调光层和所有所述第二调光层中，最靠近所述衬底的膜层为所述第一调光层；

所述第一调光层的折射率小于所述第二调光层的折射率。

3.根据权利要求2所述的射线探测器基板，其特征在于，所述第一调光部中的第一调光层的厚度与所述第二调光部中的第一调光层的厚度相等或大致相等；

所述第一调光部中的第二调光层的厚度小于所述第二调光部中的第二调光层的厚度。

4.根据权利要求1所述的射线探测器基板，其特征在于，所述射线探测器基板具有多个探测区；

每个探测区内设置有呈阵列状排布的至少两个光电探测器；所述至少两个光电探测器包括至少一个第一光电探测器和至少一个第二光电探测器。

5.根据权利要求1所述的射线探测器基板，其特征在于，所述第一闪烁体层的材料包括第一钙钛矿材料，所述第二闪烁体层的材料包括第二钙钛矿材料。

6.根据权利要求5所述的射线探测器基板，其特征在于，所述第一钙钛矿材料中的卤离子和所述第二钙钛矿材料中的卤离子不同，以使得所述第一辐射荧光的光谱和所述第二辐射荧光的光谱无重叠。

7.根据权利要求5所述的射线探测器基板，其特征在于，所述第一钙钛矿材料中的卤离子包括氯离子、溴离子和碘离子中的至少一种；

所述第二钙钛矿材料中的卤离子包括氯离子、溴离子和碘离子中的至少一种。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的射线探测器基板，其特征在于，所述第一闪烁体层的禁带宽度大于所述第二闪烁体层的禁带宽度。

9.根据权利要求1～7中任一项所述的射线探测器基板，入射至所述第二闪烁体层的射线包括第一能量射线和第二能量射线，所述第一能量射线的能量低于所述第二能量射线的能量；

被所述第二闪烁体层转换的一部分射线包括所述第一能量射线中的至少一部分第一能量射线和所述第二能量射线中的一部分第二能量射线；

所述射线探测器基板还包括：位于所述第一闪烁体层和所述第二闪烁体层之间的过滤层；

所述过滤层被配置为，阻挡未被所述第二闪烁体层转换的第一能量射线。

10.根据权利要求1～7中任一项所述的射线探测器基板，还包括：位于所述第二闪烁体层远离所述衬底一侧的反射层；

所述反射层被配置为，使射线透过所述反射层，射向所述第二闪烁体层，并对射向所述反射层的辐射荧光进行反射。