[发明专利]射线探测器基板及射线探测器在审
申请号: | 202011014668.3 | 申请日: | 2020-09-24 |
公开(公告)号: | CN112117290A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 周琳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/115 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射线 探测器 | ||
本公开实施例公开了一种射线探测器基板及射线探测器,涉及光电检测技术领域,用于提高对射线的探测能力。射线探测器基板,包括衬底、光电探测器、调光部、第一闪烁体层及第二闪烁体层。光电探测器包括第一光电探测器和第二光电探测器;调光部包括第一调光部和第二调光部。第二闪烁体层被配置为,将射线中的一部分射线转换为第一辐射荧光并使另一部分射线透过第二闪烁体层。第一闪烁体层被配置为,将另一部分射线转换为第二辐射荧光。第一调光部被配置为,反射第二辐射荧光并使第一辐射荧光透过被第一光电探测器探测。第二调光部被配置为,反射第一辐射荧光并使第二辐射荧光透过被第二光电探测器探测。本公开提供的射线探测器基板用于探测射线。
技术领域
本公开涉及光电检测技术领域,尤其涉及一种射线探测器基板及射线探测器。
背景技术
数字化摄影(Digital Radiography,简称DR),以其更快的成像速度、更便捷的操作、更高的成像分辨率等显著优点,成为数字化摄影技术的主要方向。数字化摄影的技术核心是射线探测器(例如为X射线探测器),射线探测器是一种精密和贵重的设备,对成像质量起着决定性的作用。
射线探测器在无损检测、医学检测以及安检等领域内得到了较为广泛的应用。
发明内容
本公开实施例的目的在于提供一种射线探测器基板及射线探测器,用于提高射线探测器基板对双能射线的探测能力,并提高射线探测器的稳定性和使用寿命。
为达到上述目的,本公开实施例提供了如下技术方案:
本公开实施例的第一方面,提供一种射线探测器基板。所述射线探测器基板,包括:衬底;位于所述衬底一侧的多个光电探测器;分别位于所述多个光电探测器远离所述衬底一侧的多个调光部;位于所述多个调光部远离所述衬底一侧的第一闪烁体层;以及,位于所述第一闪烁体层远离所述衬底一侧的第二闪烁体层。所述多个光电探测器包括多个第一光电探测器和多个第二光电探测器所述多个调光部包括位于每个第一光电探测器远离所述衬底一侧的第一调光部,和位于每个第二光电探测器远离所述衬底一侧的第二调光部。其中,所述第二闪烁体层被配置为,将入射至所述第二闪烁体层的射线中的一部分射线转换为第一辐射荧光,并使另一部分射线透过所述第二闪烁体层射向所述第一闪烁体层。所述第一闪烁体层被配置为,将透过所述第二闪烁体层的所述另一部分射线转换为第二辐射荧光,并使所述第一辐射荧光和所述第二辐射荧光射向所述多个调光部。所述一部分射线的平均能量小于所述另一部分射线的平均能量,所述第一辐射荧光的波长大于所述第二辐射荧光的波长。所述第一调光部被配置为,反射所述第二辐射荧光,并使所述第一辐射荧光透过,被所述第一光电探测器探测。所述第二调光部被配置为,反射所述第一辐射荧光,并使所述第二辐射荧光透过,被所述第二光电探测器探测。
本公开的一些实施例所提供的射线探测器基板,通过在每个光电探测器远离衬底的一侧设置调光部,并在多个调光部远离衬底的一侧依次设置第一闪烁体层和第二闪烁体层,可以利用第一闪烁体层和第二闪烁体层分别转换得到不同波长的辐射荧光,利用调光部中的第一调光部和第二调光部分别透过不同波长范围的辐射荧光,反射其他波长范围的辐射荧光,进而可以利用光电探测器3分别对不同波长的辐射荧光探测,实现了对双能X射线的探测。
而且,本公开所提供的射线探测器基板为一个整体的结构,而不是由完全独立的两个或多个结构进行装配而成,这样可以降低因相对位置或装配精度等因素对双能X射线的探测能力的影响,使得本公开提供的射线探测器基板具有良好的双能X射线的探测能力。
此外,本公开对射线探测器基板的整体结构进行了改善,且结构较为简单、便于制备,相比于相关技术,可以避免出现高能X射线穿过低能X射线探测器的情况,进而可以避免出现相关技术中低能X射线探测器的稳定性和使用寿命较低的问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的