[发明专利]一种TZO靶材及其制备方法

说明书

本发明公开了一种TZO靶材及其制备方法，所述TZO靶材密度为5.6‑6.3g/cm³，所述TZO靶材电阻率为0.1‑0.5Ω.cm，所述TZO靶材主成分为Zn₂SnO₄，所述TZO靶材使用wt.％50:50±2的ZnO、SnO₂固相烧结粉末制备。通过热喷涂方法对TZO靶材进行制备，提高制备效率，并且减少制备成本，并且解决金属靶材在使用过程中的诸多限制，如通氧量的控制，膜层氧含量的控制，及溅射速率低等，及烧结的TZO靶材密度低，陶瓷化程度很低，无法达到使用要求。

技术领域

本发明涉及靶材领域，具体是一种TZO靶材及其制备方法。

背景技术

TZO靶材是光学镀膜中普遍使用的一种靶材。1、目前制备TZO(ZnO,SnO₂，wt.％50:50)薄膜的方法为使用ZnSn金属靶材，但是由于金属靶材在使用过程中的诸多限制，如通氧量的控制，膜层氧含量的控制，及溅射速率低等，2、目前ZnO,SnO₂的其他比例的靶材多是通过烧结的方法制备，但ZnO,SnO₂，wt.％50:50的靶材无法通过烧结的方法成型，或者说通过烧结的TZO靶材密度低，陶瓷化程度很低，无法达到使用要求；而通过喷涂的办法则可以解决以上问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题就是克服以上的技术缺陷，提供一种TZO靶材及其制备方法。

为了解决上述问题，本发明的技术方案为：一种TZO靶材及其制备方法，所述TZO靶材密度为5.6-6.3g/cm³，所述TZO靶材电阻率为0.1-0.5Ω.cm，所述TZO靶材主成分为Zn₂SnO₄，所述TZO靶材使用wt.％50:50±2的ZnO、SnO₂固相烧结粉末制备。

一种TZO靶材的制备方法，包括以下步骤：

(1)将基体表面进行喷砂清理，并喷涂打底层；

(2)使用热喷涂设备将TZO粉末喷涂在基体表面；

(3)对靶材表面进行剖光处理，并对其进行两端进行机加工处理。

作为改进，所述步骤(1)中基体为合金管或不锈钢管。

作为改进，所述步骤(2)中对靶材进行喷涂时使用惰性气体做气氛保护，所述保护气体为氮气或氩气。

本发明与现有的技术相比的优点在于：通过热喷涂方法对TZO靶材进行制备，提高制备效率，并且减少制备成本，并且解决金属靶材在使用过程中的诸多限制，如通氧量的控制，膜层氧含量的控制，及溅射速率低等，及烧结的TZO靶材密度低，陶瓷化程度很低，无法达到使用要求。

具体实施方式

以下通过具体实施例进一步描述本发明，但本发明不仅仅限于以下实施例。在本发明的范围内或者在不脱离本发明的内容、精神和范围内，对本发明进行的变更、组合或替换，对于本领域的技术人员来说是显而易见的，且包含在本发明的范围之内。

实施例一

本实施例提供了一种旋转TZO靶材，所述旋转TZO靶材的密度为6.1g/cm³，电阻率为0.2Ω.cm，靶材成分为：Zn₂SnO₄，所使用的粉末为ZnO,SnO₂＝52:48wt.％。

本实施例还提供一种旋转TZO靶材的制备方法，所述制备方法步骤如下：

(1)将基体表面进行喷砂清理，并喷涂打底层；

(2)使用热喷涂设备将TZO粉末或TZO丝喷涂在基体表面；