[发明专利]随机存取存储器的底栅薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.随机存取存储器的底栅薄膜晶体管，其特征在于：包括P型重掺杂硅栅极、设置于P型重掺杂硅栅极上层的氧化硅隔离层以及设置于氧化硅隔离层上层的氧化镓铟锌沟道，氧化镓铟锌沟道两端设有氧化铟锡源极、氧化铟锡漏极。

2.根据权利要求1所述的随机存取存储器的底栅薄膜晶体管，其特征在于：氧化镓铟锌沟道的氧化镓铟锌为无晶型氧化镓铟锌，其镓、铟、锌的比例为1:1:1。

3.根据权利要求1所述的随机存取存储器的底栅薄膜晶体管，其特征在于：所述氧化硅隔离层的厚度为300nm。

4.根据权利要求1所述的随机存取存储器的底栅薄膜晶体管，其特征在于：所述氧化镓铟锌沟道的厚度为20nm，宽度和长度为300μm和100μm。

5.根据权利要求1所述的随机存取存储器的底栅薄膜晶体管，其特征在于：氧化镓铟锌沟道通过磁控溅射沉积形成，磁控溅射沉积在Ar气氛下、利用阴影罩进行，射频功率为70W；在沉积过程中，气体流量为4sccm，室压保持在4mtorr。

6.根据权利要求1所述的随机存取存储器的底栅薄膜晶体管，其特征在于：氧化铟锡源极和氧化铟锡漏极通过磁控溅射沉积形成，沉积条件为直流功率50W、4 sccm氩气流量和4mtorr室压沉积。

7.随机存取存储器的底栅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

S01）、选择重掺杂P型氧化硅晶片作为衬底，在重掺杂P型硅衬底上设置氧化硅隔离层，氧化硅隔离层的厚度为300nm；

S02）、利用阴影罩，在Ar气氛下，磁控溅射沉积20nm厚的1:1:1比例的氧化镓铟锌薄膜，射频功率为70W，在此过程中，气体流量为4sccm，室压保持在4mtorr；

S03）、选择氧化铟锡作为薄膜晶体管的源极、漏极材料，氧化铟锡源极、氧化铟锡漏极也通过磁控溅射沉积形成，沉积条件为直流功率50W、4 sccm氩气流量和4mtorr室压沉积，这一步将沟道的宽度和长度控制在 300μm和100μm，完成整个加工过程。