[发明专利]蚀刻痕的优化方法及导电膜

说明书

本发明提供一种蚀刻痕的优化方法及导电膜，其中方法主要包括：获取待优化的导电膜，其中，所述导电膜包括内层导电银丝和外层银杂质；分别确定所述内层导电银丝和外层银杂质对应的第一吸收光谱和第二吸收光谱，其中，所述第一吸收光谱内的任一第一波长小于于所述第二吸收光谱内的任一第二波长；使用所述第二波长的激光辐射所述导电膜，使得所述导电膜的外层银杂质钝化，以使得所述导电膜的雾度降低，进而优化所述导电膜的蚀刻痕显示效果。粒子吸收光谱后，会表面等离子体共振，从而发生氧化，失去反射光泽，亦即钝化，从而实现降低雾度，减轻蚀刻痕。

技术领域

本发明涉及触控技术领域，尤其涉及一种蚀刻痕的优化方法及导电膜。

背景技术

银纳米丝作为一种新型ITO替代材料，目前被广泛应用于触控屏用透明导电薄膜领域。

纳米银丝在阻抗、弯折柔性角度性能远远强于ITO，所以在中大尺寸触控器件应用领域，纳米银具有不可替代的优势；但在小尺寸触控器件应用领域，ITO独有的“消影”技术—通过改变涂层折射率来达到减少蚀刻痕、达成“消影”的作用，使得制成的触控器件在近距离视角也无法察觉蚀刻痕；而纳米银丝图案化后也会产生蚀刻痕，但纳米银丝蚀刻痕产生的光学原理和ITO不同，无法使用类似的技术来小件蚀刻痕，所以纳米银丝在小尺寸触控器件应用始终无法获得突破。

目前行业内形成的共识是，将纳米银丝的直径做到足够小(如＜15nm)，这种极小尺寸纳米银丝带来的光学反射、散射会很小，成膜的光学雾度减小明显(行业内认为雾度高是导致蚀刻痕的主要原因)，从而消弱蚀刻痕的影响。但这样做有明显局限问题：小线径的纳米银丝合成困难，随着线径减小，合成产物中纳米银丝占比降低，伴随大量纳米银颗粒和短棒等杂质增多，同时小线径的纳米银丝在自身重力和浮力角度和纳米银颗粒、短棒相当，因此常用的重力水沉、离心、错流、丙酮等提纯方法，都很难获得高纯度的纳米银丝，纯化后产物中杂质含量较高，对成膜后的光学雾度损害明显(对成膜导电性没有贡献的纳米银颗粒和短棒等杂质，反而对光学雾度Haze和色度a*/b*都带来负面影响)；

针对上述技术问题，亟待提供一种解决方案，能有效改善纳米银丝图案化后的蚀刻痕问题，以期获得更广阔的市场应用。

发明内容

本发明实施例提供一种蚀刻痕的优化方法及导电膜，以优化现有的导电膜的蚀刻痕显示的技术问题。

为了达到上述目的，本发明提供的具体方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种蚀刻痕的优化方法，包括：

获取待优化的导电膜，其中，所述导电膜包括内层导电银丝和外层银杂质；

分别确定所述内层导电银丝和外层银杂质对应的第一吸收光谱和第二吸收光谱，其中，所述第一吸收光谱内的任一第一波长小于所述第二吸收光谱内的任一第二波长；

使用所述第二波长的激光辐射所述导电膜，使得所述导电膜的外层银杂质钝化，以使得所述导电膜的雾度降低，进而优化所述导电膜的蚀刻痕显示效果。

可选的，所述第一吸收光谱包括：260纳米至280纳米；

所述第二吸收光谱包括：480纳米至600纳米。

可选的，第二波长为550纳米。

可选的，激光辐射的功率为0.1瓦特至10瓦特，激光辐射的时长为1秒至1000秒。

可选的，激光辐射的功率为2瓦特，激光辐射的时长为60秒。

第二方面，本发明实施例提供了一种导电膜，采用第一方面中任一项所述的蚀刻痕的优化方法处理得到。