[发明专利]具有双厚度栅极电介质的场效应晶体管

权利要求书

1.一种晶体管装置，包括：

半导体材料；

源极区和漏极区，在所述半导体材料中；以及

栅极堆叠体，在所述半导体材料的在所述源极区与所述漏极区之间的部分上方，其中，所述部分包括第一部分和第二部分，并且所述栅极堆叠体包括：

一种或多种栅电极材料，

第一栅极电介质，在所述半导体材料的第一部分与所述一种或多种栅电极材料之间，以及

第二栅极电介质，在所述半导体材料的第二部分与所述一种或多种栅电极材料之间，

其中，所述第一栅极电介质的厚度不同于所述第二栅极电介质的厚度。

2.根据权利要求1所述的晶体管装置，其中：

所述半导体材料的第一部分比所述半导体材料的第二部分更靠近所述源极区，并且

所述半导体材料的第二部分比所述半导体材料的第一部分更靠近所述漏极区。

3.根据权利要求2所述的晶体管装置，其中，所述半导体材料的第二部分与所述漏极区之间的距离在10与1000纳米之间。

4.根据权利要求2所述的晶体管装置，其中，所述第二栅极电介质的厚度大于所述第一栅极电介质的厚度。

5.根据权利要求4所述的晶体管装置，其中，所述第二栅极电介质的介电常数比第一栅极电介质的介电常数小至少3倍。

6.根据权利要求1-5中的任一项所述的晶体管装置，其中：

所述半导体材料的第一部分包括第一类型的掺杂剂，并且

所述半导体材料的第二部分包括第二类型的掺杂剂。

7.根据权利要求1-5中的任一项所述的晶体管装置，其中：

所述半导体材料的第一部分和第二部分中的每一个包括第一类型的掺杂剂，并且

所述半导体材料的在所述第二部分和所述漏极区之间的部分包括第二类型的掺杂剂。

8.根据权利要求1-5中的任一项所述的晶体管装置，其中：

所述半导体材料部分的第一部分包括第一类型的掺杂剂，

所述半导体材料的第二部分的最靠近所述第一部分的部分包括第一类型的掺杂剂，并且

所述半导体材料的第二部分的在所述半导体材料的第二部分的最靠近所述第一部分的所述部分与所述漏极区之间的部分包括第二类型的掺杂剂。

9.根据权利要求1-5中的任一项所述的晶体管装置，其中：

所述半导体材料的第一部分的最靠近所述源极区的部分包括第一类型的掺杂剂，

所述半导体材料的第一部分的在所述半导体材料的第一部分的最靠近所述源极区的部分与所述半导体材料的第二部分之间的部分包括第二类型的掺杂剂，并且

所述半导体材料的第二部分包括第二类型的掺杂剂。

10.根据权利要求9所述的晶体管装置，其中：

所述第一类型的掺杂剂处于每立方厘米1×10¹⁶和1×10¹⁸个掺杂剂原子之间的掺杂剂浓度，并且

所述第二类型的掺杂剂处于每立方厘米1×10¹⁶和1×10¹⁸个掺杂剂原子之间的掺杂剂浓度。

11.根据权利要求10所述的晶体管装置，其中：

所述源极区和所述漏极区中的每一个包括所述第二类型的掺杂剂，并且

所述源极区和所述漏极区中的每一个中的所述第二类型的掺杂剂的掺杂剂浓度为至少每立方厘米1×10²¹个掺杂剂原子。