[发明专利]一种半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上依次形成阻挡层、介质层、金属硬掩模层、底部抗反射层及光刻胶，其中所述光刻胶上形成有沟槽图案；

根据所述光刻胶上的沟槽图案，刻蚀所述底部抗反射层；

刻蚀所述金属硬掩模层，在所述金属掩模层上形成第一沟槽，同时在所述第一沟槽侧壁上形成保护膜；

进行去胶灰化刻蚀，以去除所述光刻胶和所述底部抗反射层；

刻蚀所述介质层，并在所述介质层中形成第一通孔及第二沟槽，所述第二沟槽对准于所述金属硬掩模层中的所述第一沟槽；

刻蚀所述阻挡层，并在所述阻挡层中形成第二通孔，所述阻挡层中的第二通孔对准于所述介质层中的所述第一通孔；

其中，所述金属硬掩模层包括形成于所述介质层上的正硅酸乙酯氧化层，形成于所述正硅酸乙酯氧化层上的氮化钛硬掩模及形成于所述氮化钛硬掩模上的氮氧化硅层；

刻蚀所述金属硬掩模层的步骤包括：

刻蚀所述氮氧化硅层，在刻蚀所述氮氧化硅层时采用四氟化碳和三氟甲烷等离子体进行干法刻蚀；

刻蚀所述氮化钛硬掩模，在刻蚀所述氮化钛硬掩模时采用氯气和甲烷等离子体进行干法刻蚀；

刻蚀所述正硅酸乙酯氧化层，在刻蚀所述正硅酸乙酯氧化层时采用四氟化碳等离子体进行干法刻蚀。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底中形成有金属层，所述金属层至少与所述半导体衬底表面齐平。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，刻蚀所述底部抗反射层采用四氟化碳和三氟甲烷等离子体进行干法刻蚀。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，刻蚀所述氮氧化硅层时对所述氮氧化硅层进行过刻蚀，过刻蚀比例为85%~95%。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，刻蚀所述氮化钛硬掩模对所述氮化钛硬掩模进行过刻蚀，过刻蚀比例为75%~85%。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，刻蚀所述正硅酸乙酯氧化层时对所述正硅酸乙酯氧化层进行部分刻蚀以形成第一沟槽，所述第一沟槽底部为未刻蚀的部分正硅酸乙酯氧化层。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述保护膜是通过刻蚀气体与所述氮氧化硅层发生化学反应形成的。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去胶灰化刻蚀过程采用氮气和氧气等离子体进行干法刻蚀。