[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一区域，所述第一区域包括N阱的第一部分和形成在所述N阱的第一部分上方的多个P型晶体管，其中，所述第一区域在第一方向上延伸；

第二区域，所述第二区域包括P阱的第一部分和形成在所述P阱的第一部分上方的多个N型晶体管，其中，所述第二区域在所述第一方向上延伸并且与所述第一区域共享第一边界，并且其中，所述第一边界在所述第一方向上延伸；

第三区域，所述第三区域包括所述P阱的第二部分，其中，所述第三区域与所述第一区域和所述第二区域共享第二边界，并且其中，所述第二边界在与所述第一方向不同的第二方向上延伸；以及

第四区域，所述第四区域包括所述N阱的第二部分，其中，所述第四区域与所述第一区域和所述第二区域共享第三边界，其中，所述第三边界在所述第二方向上延伸，并且其中，所述第一区域和所述第二区域设置在所述第三区域和所述第四区域之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第三区域包括一个或多个P阱拾取接触件；并且

所述第四区域包括一个或多个N阱拾取接触件。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述一个或多个P阱拾取接触件或所述一个或多个N阱拾取接触件的每个电耦合至电压源。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述一个或多个P阱拾取接触件或所述一个或多个N阱拾取接触件的每个电耦合至电接地。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一区域的所述P型晶体管和所述第二区域的所述N型晶体管为功能晶体管；并且

所述第三区域和所述第四区域的每个包括多个伪晶体管。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一区域具有在所述第一方向上测量的第一尺寸；

所述第二区域具有在所述第一方向上测量的第二尺寸；

所述第三区域具有在所述第一方向上测量的第三尺寸；

所述第四区域具有在所述第一方向上测量的第四尺寸；并且

所述第一尺寸和所述第二尺寸的每个大于所述第三尺寸或所述第四尺寸。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中：

所述第一尺寸等于所述第二尺寸；并且

所述第三尺寸等于所述第四尺寸。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中：

所述第一区域具有在所述第二方向上测量的第五尺寸；

所述第二区域具有在所述第二方向上测量的第六尺寸；

所述第三区域具有在所述第二方向上测量的第七尺寸；

所述第四区域具有在所述第二方向上测量的第八尺寸；并且

所述第七尺寸和所述第八尺寸的每个大于所述第五尺寸或所述第六尺寸。

9.一种半导体器件，包括：

多个第一区域，所述多个第一区域的每个在第一方向上延伸，其中，第一区域包括P型晶体管；

多个第二区域，所述多个第二区域的每个在所述第一方向上延伸，其中，第二区域包括N型晶体管，并且其中，所述第一区域和所述第二区域在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此交错；

连续的P阱拾取区域，设置在所述第一区域和所述第二区域的第一侧；以及

连续的N阱拾取区域，设置在所述第一区域和所述第二区域的第二侧。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

接收集成电路(IC)布局设计，所述集成电路布局设计包括多个N型场效应晶体管区域、多个P型场效应晶体管区域、多个N阱拾取区域和多个P阱拾取区域，其中，根据接收的集成电路布局设计：所述N型场效应晶体管区域和所述P型场效应晶体管区域的每个在第一方向上延伸，所述N型场效应晶体管区域在与所述第一方向不同的第二方向上与所述P型场效应晶体管区域交错，所述N阱拾取区域分别与所述P型场效应晶体管区域对准，所述P阱拾取区域分别与所述N型场效应晶体管区域对准，并且所述N阱拾取区域在所述第二方向上与所述P阱拾取区域交错；以及

修改所述接收的集成电路布局设计以至少部分地通过以下方式来生成修改的集成电路布局设计：

用连续的P阱拾取区域替换所述N阱拾取区域的第一子集和所述P阱拾取区域的第一子集；和

用连续的N阱拾取区域替换所述N阱拾取区域的第二子集和所述P阱拾取区域的第二子集。