[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基底；

在所述基底上形成有源层，所述有源层包括沟道区和设置于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；

在所述有源层上形成源漏金属层，所述源漏金属层包括源极和漏极，所述源极对应于所述源极区，所述漏极对应于所述漏极区，所述源极和所述漏极之间形成一沟槽以裸露出所述有源层位于所述沟道区的部分；

对所述有源层的裸露部分进行氧化处理，以使所述有源层位于所述沟道区的部分的电阻高于所述有源层位于所述源极区和所述漏极区的部分的电阻。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述基底上形成有源层的步骤，包括：

提供一靶材；

在一气体混合物的环境下对所述靶材进行轰击，以使所述靶材中的粒子脱落，所述气体混合物包括氧气和惰性气体，且所述氧气和所述惰性气体的气体流量比介于0～21％之间；

所述粒子沉积在所述基底上以形成所述有源层。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述有源层上形成源漏金属层的步骤之后，包括：

依次对所述源漏金属层和所述有源层进行刻蚀，以分别形成图案化的所述源漏金属层和图案化的所述有源层，图案化的所述源漏金属层包括待形成的所述源极、待形成的所述漏极以及中间部分，所述中间部分为待形成的所述源极和所述漏极之间的部分；

对所述中间部分进行刻蚀，以裸露出图案化的所述有源层位于所述沟道区的部分，并在图案化的所述有源层位于所述源极区的部分上和位于所述漏极区的部分上分别形成所述源极和所述漏极。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述依次对所述源漏金属层和所述有源层进行刻蚀的步骤，包括：

在所述源漏金属层上形成一光阻层；

对所述光阻层进行曝光显影，以形成图案化的第一光阻，所述第一光阻包括第一部分、第二部分和开口，所述第一部分对应于待形成的所述源极和待形成的所述漏极，所述第二部分对应于所述中间部分，所述开口裸露出所述源漏金属层；

以所述第一部分和所述第二部分为掩膜，依次对所述源漏金属层的裸露部分以及所述有源层对应于所述裸露部分的部分进行刻蚀，以分别形成图案化的所述源漏金属层和图案化的所述有源层；

所述对所述中间部分进行刻蚀的步骤，包括：

对所述第二部分进行灰化处理，以裸露出所述中间部分，并得到减薄后的所述第一部分；

以减薄后的所述第一部分为掩膜，对图案化的所述源漏金属层的裸露部分进行刻蚀，以裸露出图案化的所述有源层位于所述沟道区的部分。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述对所述有源层的裸露部分进行氧化处理的步骤，包括：

以减薄后的所述第一部分为掩膜，对图案化的所述有源层的裸露部分进行氧化处理。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述对图案化的所述有源层的裸露部分进行氧化处理的步骤，包括：

在氧气所在环境下对图案化的所述有源层的裸露部分进行退火处理；或者

通过氧气或一氧化二氮等离子体对图案化的所述有源层的裸露部分进行处理。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述对图案化的所述有源层的裸露部分进行氧化处理的步骤之后，还包括：

剥离减薄后的所述第一部分，以在图案化的所述有源层位于所述源极区的部分上和位于所述漏极区的部分上分别形成所述源极和所述漏极。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述在所述基底上形成有源层的步骤之前，还包括：

在所述基底上形成栅极金属层；

对所述栅极金属层进行图案化处理，以形成栅极；

在所述栅极上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述有源层靠近所述基底的一侧。