[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及阵列基板

说明书

本申请提供一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及阵列基板，该薄膜晶体管的制备方法通过在有源层上设置沟道区、源极区以及漏极区，并使源漏金属层中的源极对应于源极区，漏极对应于漏极区，通过对有源层对应于沟道区的部分进行氧化处理，使得有源层位于沟道区的部分的电阻高于有源层位于源极区和漏极区的部分的电阻。本申请提高了薄膜晶体管中有源层的迁移率，进而提高了薄膜晶体管器件的稳定性。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及阵列基板。

背景技术

目前，薄膜晶体管的有源层通常采用氧化物半导体材料制备得到。然而，在现有薄膜晶体管的设计中，当采用氧化物半导体材料制备有源层时，一般直接形成具有高电阻的有源层，由于有源层中没有与源极和漏极接触的低电阻接触区，因此，有源层的迁移率较低，导致薄膜晶体管器件的稳定性较差。

发明内容

本申请提供一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及阵列基板，以提高薄膜晶体管中有源层的迁移率，从而提高器件的稳定性。

本申请提供一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：

提供一基底；

在所述基底上形成有源层，所述有源层包括沟道区和设置于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；

在所述有源层上形成源漏金属层，所述源漏金属层包括源极和漏极，所述源极对应于所述源极区，所述漏极对应于所述漏极区，所述源极和所述漏极之间形成一沟槽以裸露出所述有源层位于所述沟道区的部分；

对所述有源层的裸露部分进行氧化处理，以使所述有源层位于所述沟道区的部分的电阻高于所述有源层位于所述源极区和所述漏极区的部分的电阻。

在本申请所述的薄膜晶体管的制备方法中，所述在所述基底上形成有源层的步骤，包括：

提供一靶材；

在一气体混合物的环境下对所述靶材进行轰击，以使所述靶材中的粒子脱落，所述气体混合物包括氧气和惰性气体，且所述氧气和所述惰性气体的气体流量比介于0～21％之间；

所述粒子沉积在所述基底上以形成所述有源层。

在本申请所述的薄膜晶体管的制备方法中，所述在所述有源层上形成源漏金属层的步骤之后，包括：

依次对所述源漏金属层和所述有源层进行刻蚀，以分别形成图案化的所述源漏金属层和图案化的所述有源层，图案化的所述源漏金属层包括待形成的所述源极、待形成的所述漏极以及中间部分，所述中间部分为待形成的所述源极和所述漏极之间的部分；

对所述中间部分进行刻蚀，以裸露出图案化的所述有源层位于所述沟道区的部分，并在图案化的所述有源层位于所述源极区的部分上和位于所述漏极区的部分上分别形成所述源极和所述漏极。

在本申请所述的薄膜晶体管的制备方法中，所述依次对所述源漏金属层和所述有源层进行刻蚀的步骤，包括：

在所述源漏金属层上形成一光阻层；

对所述光阻层进行曝光显影，以形成图案化的第一光阻，所述第一光阻包括第一部分、第二部分和开口，所述第一部分对应于待形成的所述源极和待形成的所述漏极，所述第二部分对应于所述中间部分，所述开口裸露出所述源漏金属层；

以所述第一部分和所述第二部分为掩膜，依次对所述源漏金属层的裸露部分以及所述有源层对应于所述裸露部分的部分进行刻蚀，以分别形成图案化的所述源漏金属层和图案化的所述有源层；

所述对所述中间部分进行刻蚀的步骤，包括：

对所述第二部分进行灰化处理，以裸露出所述中间部分，并得到减薄后的所述第一部分；