[发明专利]半导体熔丝结构以及制造该半导体熔丝结构的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件具有熔丝结构，所述半导体器件包括：

半导体材料区域，所述半导体材料区域具有第一主表面；

位于所述第一主表面上方的第一介电区域；

位于所述第一介电区域的第一部分上方的第一熔丝端子；

第二熔丝端子，所述第二熔丝端子位于所述第一介电区域的第二部分上方，并且与所述第一熔丝端子间隔开以提供间隙区域；

熔丝主体，所述熔丝主体位于所述第一介电区域的第三部分上方，插置在所述第一熔丝端子与所述第二熔丝端子之间并且连接到所述第一熔丝端子和所述第二熔丝端子；和

第一虚设结构，所述第一虚设结构位于所述熔丝主体的第一侧上的所述间隙区域中的所述第一介电区域上方，所述第一虚设结构与所述熔丝主体、所述第一熔丝端子和所述第二熔丝端子间隔开并且电隔离。

2.根据权利要求1所述的器件，还包括：

位于所述熔丝主体和所述第一虚设结构上方的第二介电区域；和

位于所述间隙区域中的所述第二介电区域上方的第二虚设结构，所述第二虚设结构与所述熔丝主体重叠。

3.根据权利要求1所述的器件，还包括以下项中的一项或多项：

第二虚设结构，所述第二虚设结构位于所述熔丝主体的第二侧上的所述间隙区域中的所述第一介电区域上方，所述第二虚设结构与所述熔丝主体、所述第一熔丝端子和所述第二熔丝端子间隔开并且电隔离；或

浮动掺杂阱区，所述浮动掺杂阱区位于所述半导体材料区域中并与所述第一主表面相邻，其中所述熔丝主体和所述第一虚设结构位于所述浮动掺杂阱区上方。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述熔丝主体包括：

第一熔丝主体端，所述第一熔丝主体端连接到所述第一熔丝端子；

第二熔丝主体端，所述第二熔丝主体端连接到所述第二熔丝端子；

第一对扩口部分，所述第一对扩口部分设置在所述熔丝主体的靠近所述第一熔丝主体端的相对侧上，使得所述熔丝主体在靠近所述熔丝主体连接到所述第一熔丝端子的位置的平面图中变宽；和

第二对扩口部分，所述第二对扩口部分设置在所述熔丝主体的靠近所述第二熔丝主体端的相对侧上，使得所述熔丝主体在靠近所述熔丝主体连接到所述第二熔丝端子的位置的所述平面图中变宽。

5.根据权利要求1所述的器件，还包括：

第二介电区域，所述第二介电区域位于所述第一熔丝端子、所述熔丝主体和所述第二熔丝端子上方；

第一导电通孔，所述第一导电通孔设置在所述第一熔丝端子上方的所述第二介电区域中并且具有第一通孔图案；和

第二导电通孔，所述第二导电通孔设置在所述第二熔丝端子上方的所述第二介电区域中并且具有不同于所述第一通孔图案的第二通孔图案。

6.根据权利要求5所述的器件，其中：

所述第二通孔图案包括靠近所述熔丝主体连接到所述第二熔丝端子的位置的没有通孔的区。

7.一种半导体器件，所述半导体器件具有熔丝结构，所述半导体器件包括：

半导体材料区域，所述半导体材料区域具有第一主表面；

位于所述第一主表面上方的第一介电区域；

位于所述第一介电区域上方的熔丝结构，包括：

位于所述第一介电区域的第一部分上方的第一熔丝端子；

第二熔丝端子，所述第二熔丝端子位于所述第一介电区域的第二部分上方，并且与所述第一熔丝端子间隔开以提供间隙区域；和

熔丝主体，所述熔丝主体位于所述第一介电区域的第三部分上方，插置在所述第一熔丝端子与所述第二熔丝端子之间并且连接到所述第一熔丝端子和所述第二熔丝端子；

第一虚设结构，所述第一虚设结构位于所述熔丝主体的第一侧上的所述间隙区域中的所述第一介电区域上方，所述第一虚设结构与所述熔丝主体、所述第一熔丝端子和所述第二熔丝端子间隔开并且电隔离；和

浮动掺杂阱区，所述浮动掺杂阱区位于所述半导体材料区域中并与所述第一主表面相邻，其中所述熔丝主体和所述第一虚设结构位于所述浮动掺杂阱区上方。