[发明专利]半导体熔丝结构以及制造该半导体熔丝结构的方法

说明书

本发明题为“半导体熔丝结构以及制造该半导体熔丝结构的方法”。一种具有熔丝结构的半导体器件包括具有主表面的半导体材料区域。介电区域位于主表面上方。第一熔丝端子位于介电区域的第一部分上方，第二熔丝端子位于介电区域的第二部分上方，并且与第一熔丝端子间隔开以提供间隙区域，并且熔丝主体位于介电区域的第三部分上方，插置在第一熔丝端子与第二熔丝端子之间并且连接到该第一熔丝端子和该第二熔丝端子。虚设结构位于间隙区域中的介电区域上方并位于熔丝主体的第一侧上，虚设结构与熔丝主体、第一熔丝端子和第二熔丝端子间隔开并且电隔离。虚设结构被配置为减少缺陷(诸如可源自熔丝结构的裂缝或空隙)的存在或减少缺陷的影响。

技术领域

本公开整体涉及电子器件，并且更具体地讲，涉及半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法。

背景技术

电可编程熔丝(eFUSE)结构已用于半导体器件中，该半导体器件包括作为非易失性存储器设备中的一次性可编程(OTP)元件。其他应用已包括对模拟电路中的电阻器、电容器和其他分立部件的电路保护和微调。通常，eFUSE结构包括多晶硅/硅化物结构，并且电迁移效应已用于将熔丝结构的电阻从低电阻状态改变为高电阻状态。在该方法中，通过跨多晶硅/硅化物熔丝施加电压或电流控制的偏置来对eFUSE进行编程。多晶硅内的硅化物材料和掺杂物通过电子电流和热梯度从熔丝结构的一个区域迁移或移动到另一个区域，从而增加熔丝结构的电阻。在一些应用中，电阻的这种变化由集成在半导体器件内的感测电路监测。尽管eFUSE结构具有期望的特征部，诸如柔性编程和简化的感测电路，但现有eFUSE结构已具有影响其使用的问题。此类问题已包括高电阻偏移，该高电阻偏移已导致良率损失和可靠性问题。

因此，期望具有熔丝结构和形成该熔丝结构的方法，该熔丝结构和形成该熔丝结构的方法克服与现有结构相关联的问题。结构和方法对节省成本以及易于集成到现有半导体器件工艺流程中将是有益的。

附图说明

图1示出了本说明书的熔丝结构的顶视图；

图2示出了沿着基准线2-2截取的图1的熔丝结构的局部剖视图；

图3示出了沿着基准线3-3截取的图1的熔丝结构的局部剖视图；

图4A为结合本说明书的熔丝结构的电路的示意图；并且

图4B为结合本说明书的熔丝结构的电路的示意图。