[发明专利]一种低成本高纯六硼化硅生产工艺有效
申请号: | 202011026374.2 | 申请日: | 2020-09-25 |
公开(公告)号: | CN112125315B | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 张洪涛 | 申请(专利权)人: | 辽宁中色新材科技有限公司 |
主分类号: | C01B35/02 | 分类号: | C01B35/02 |
代理公司: | 锦州辽西专利事务所(普通合伙) 21225 | 代理人: | 王佳佳 |
地址: | 121000 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低成本 高纯 六硼化硅 生产工艺 | ||
一种低成本高纯六硼化硅生产工艺,将三氧化二硼和硼氢化钾,在氩气保护,球磨混料后,压制成块,装入真空碳管炉中,抽空,750℃保温5小时;升温至1250℃,继续保温,直至炉内压力微正压,还原反应彻底结束,将得到石墨坩埚内的单体硼和氢氧化钾混合体,放入蒸馏水加热清洗,烘干,得到硼粉;将硼粉和硅粉球磨混料后,装入自蔓延反应釜中,反应釜抽空,真空度到1帕,送电升温钨丝,点燃锆粉,进行高温自蔓延化合反应,反应结束,降温,除杂,得到高纯六硼化硅。以三氧化二硼和硼氢化钾为原料,原料成本相对较低,且整个工艺合理可控,生产出的六硼化硅的纯度为99.5%,适合工业化生产。
技术领域
本发明涉及一种低成本高纯六硼化硅生产工艺。
背景技术
硼(B)是轻元素,可以与ⅣA族元素形成化合物六硼化硅。六硼化硅具有优良的热电性能,其电导率从室温到1000K为10/Ω·㎝-200/Ω·㎝,其作为高温热电材料热端使用温度可达1200℃;六硼化硅的共价键程度比碳化物更高,因此其具有很高的硬度上;六硼化硅的惰性很强,化学性能稳定;总之六硼化硅具有高电导、高熔点、高硬度和高稳定性的特点,可以广泛应用于电子和军工方面。
CN 106082250A公开了“一种六硼化硅粉末制备方法”,步骤是:将平均粒度<10μm硅粉和<20μm的硼粉按配比称重,球磨混合均匀,装入陶瓷坩埚,装入合成炉,通入氩气并滴入SiCl4,加热到1500-1600℃,冷却后球磨得到所需的SiB6粉末。该方法能制备化学纯度高、物相纯净的单相SiB6粉末。但以单质硼粉为原料,生产成本高,且对原料硅粉和硼粉的细度要求较高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种工艺合理,对原料细度要求不高,原料易得的低成本高纯六硼化硅生产工艺。
一种低成本高纯六硼化硅生产工艺,具体步骤如下:
(1)将三氧化二硼和硼氢化钾按照摩尔比为1:2放入星际球磨机,冲入氩气保护,球磨混料时间保证12小时,达到机械合金化,得到混制粉料;
(2)将混制粉料按照500克每份,用315吨油压机压制,压制压力不小于25兆帕,保证粉料致密结合在一起,能充分发生置换化和反应,得到压制块料;
(3)将压制块料,按照每炉装料量10公斤装入石墨坩埚,放入真空碳管炉中,抽空,真空度到3Pa,送电升温,750℃开始发生还原反应,随着反应缓慢生成氢气和水蒸气,炉内压力由负压逐步生成正压,正压到0.5Pa,人工手动开启泄压阀,把生成水蒸气和氢气排出,以免压力过高,发生泄压阀冲开,保温5小时;5小时后温度升高至1250℃,继续保温,直至炉内压力微正压,不再有过量气体排出,还原反应结束,石墨坩埚内剩余是单体硼和氢氧化钾混合体;
(4)将石墨坩埚内的单体硼和氢氧化钾混合体,放入白钢器皿中放入蒸馏水,加温50℃,反复清洗3次,将氢氧化钾洗出,剩余单体硼烘干,得到纯度≥99.9硼粉;
(5)硼粉和硅粉按照摩尔比6:1混合放入星际球磨机,冲入氩气保护,球磨混料时间保证24小时,达到机械合金化;
(6)混制好的硼粉和硅粉,装入石墨坩埚中,每次装入量50公斤,放入自蔓延反应釜中,坩埚粉体上面加入100克锆粉作为点火剂,所述锆粉500目、活性锆含量为95%以上;反应釜抽空,真空度到1帕,送电升温,钨丝点燃锆粉,使硼粉和硅粉高温自蔓延化合反应,化合结束,降温,将点火剂锆粉和粉体接触部分清除,得到高纯六硼化硅。
进一步的,三氧化二硼纯度为99.5%,细度为325目。
进一步的,硼氢化钾纯度为99.9%,细度为400目。
进一步的,硅粉纯度为99.999%,细度为500目。
进一步的,所述六硼化硅的纯度为99.5%。
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