[发明专利]一种近零热猝灭氟化物荧光单晶材料及其制备方法

权利要求书

1.一种近零热猝灭氟化物荧光单晶材料，其特征在于，所述单晶材料的化学式为KY_3-xCe_xF₁₀，其中，0.01≤x≤0.03。

2.如权利要求1所述的近零热猝灭氟化物荧光单晶材料，其特征在于，所述化学式中，x＝0.02。

3.一种权利要求1或2所述的近零热猝灭氟化物荧光单晶材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)：称取KF、YF₃、CeF₃原料，烘干后混合，充分研磨，将混合好的原料放入Pt坩埚，将温度升至1000～1100℃烧结1～3h，制得多晶粉料；

步骤2)：将步骤1)所得粉料采用坩埚下降法进行晶体生长，经接种、放肩、等径生长，生长出无裂纹、无明显生长条纹的透明晶体；

步骤3)：将步骤2)所得的透明晶体在500℃条件下退火，自然冷却至室温。

4.如权利要求3所述的近零热猝灭氟化物荧光单晶材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中烘干的温度为150～300℃，时间为4h。

5.如权利要求3所述的近零热猝灭氟化物荧光单晶材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中研磨的时间为2～3h。

6.如权利要求3所述的近零热猝灭氟化物荧光单晶材料的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中的坩埚下降法具体为：控制上部炉体温度1080℃，炉体平衡12～24h后进行籽晶的接种，而后开始启动下降装置缓慢下降坩锅；晶体生长过程均在恒温段完成，放肩速度为0.3～0.4mm/h，等径生长速度为0.2～0.3mm/h。

7.如权利要求3所述的近零热猝灭氟化物荧光单晶材料的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中透明晶体的直径为1英寸。

8.如权利要求3所述的近零热猝灭氟化物荧光单晶材料的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中退火的时间为4h。