[发明专利]电容器及其制备方法

权利要求书

1.一种电容器，其特征在于，包括形成于同一基底的两个MOS电容，两个所述MOS电容串联，两个所述MOS电容的最大应用电压不同且均小于所述电容器的最大应用电压，两个所述MOS电容的击穿电压之和大于所述电容器的最大应用电压；

每个所述MOS电容均包括源极、漏极、体极及栅极，所述源极、所述漏极及所述体极均位于所述基底中，所述栅极位于所述基底上且位于相应的所述源极及所述漏极之间；

两个所述MOS电容中的一个为NMOS电容，另一个为PMOS电容，所述NMOS电容与所述PMOS电容的栅极相连，所述NMOS电容的源极、漏极和体极相连后作为所述电容器的第一电极，所述PMOS电容的源极、漏极及体极连接后作为所述电容器的第二电极。

2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电容器的单位电容值大于每个MOS电容的单位电容值。

3.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，两个所述MOS电容同步制备而成。

4.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，两个所述MOS电容的栅极与所述基底的重叠区域的面积不相等。

5.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，每个所述MOS电容的栅极与所述基底之间均形成有栅氧化层，在两个所述MOS电容中，最大应用电压较高的MOS电容的栅氧化层更厚。

6.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述基底中形成有P阱及N阱，所述NMOS电容的源极、漏极和体极均位于所述P阱中，所述PMOS电容的源极、漏极及体极均位于所述N阱中。

7.如权利要求6所述的电容器，其特征在于，所述第一电极用于接地，所述第二电极用于连接正电压，所述N阱的击穿电压大于所述电容器的最大应用电压。

8.一种电容器的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

形成两个MOS电容于所述基底，两个所述MOS电容的最大应用电压不同且均小于所述电容器的最大应用电压；以及，

将两个所述MOS电容串联；

其中，所述基底中形成有P阱及N阱，形成两个MOS电容于所述基底的步骤包括：

分别形成源极、漏极和体极于所述P阱及所述N阱中；以及，

分别形成两个栅极于所述P阱及所述N阱上，每个所述栅极均位于相应的源极及漏极之间，所述P阱中的源极、漏极、体极及所述P阱上的栅极构成NMOS电容，所述N阱中的源极、漏极、体极及所述N阱上的栅极构成PMOS电容；

将两个所述MOS电容串联的步骤包括：

将所述NMOS电容与所述PMOS电容的栅极相连；以及，

将所述NMOS电容的源极、漏极和体极相连后作为所述电容器的第一电极，将所述PMOS电容的源极、漏极和体极相连后作为所述电容器的第二电极。