[发明专利]电容器及其制备方法

说明书

本发明提供了一种电容器，包括形成于同一基底的两个MOS电容，两个所述MOS电容的最大应用电压不同且均小于所述电容器的最大应用电压。本发明通过将形成于同一基底的两个MOS电容串联以扩大电容值，进而提高电容器的应用电压的等级，制造成本也比较低，并且通过设计两个MOS电容的各类参数还可提高电容器的单位电容值，从而减小电容器的尺寸，提高了电容器的性能。基于此，本发明还提供了所述电容器的制备方法。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种电容器及其制备方法。

背景技术

目前，电容器已经越来越广泛的应用在大规模集成电路(例如混合信号电路、射频电路以及模拟电路等)中。电容器通常包括金属-氧化物-金属电容(metal-oxide-metal，简称MOM电容)、金属-绝缘物-金属电容(metal-insulator-metal，简称MIM电容)及金属-氧化物-半导体电容(Metal-Oxide-Semiconductor，简称MOS电容)。

为了提升电容器的应用电压，较佳的方式是扩大电容值。MOM电容是插齿结构，其单层电容值很小，需要多层才能够扩大电容值，但这势必会导致器件尺寸的增加，不符合目前的微型化器件的发展趋势；MIM电容若需要扩大容值，则需要在制备过程中附加光掩膜，导致制造成本非常昂贵；MOS电容的电容值也有局限，无法进一步提升。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电容器及其制备方法，通过提高电容器的电容值从而扩大电容器的应用电压。

为了达到上述目的，本发明提供了一种电容器，包括形成于同一基底的两个MOS电容，两个所述MOS电容串联，两个所述MOS电容的最大应用电压不同且均小于所述电容器的最大应用电压，两个所述MOS电容的击穿电压之和大于所述电容器的最大应用电压；

每个所述MOS电容均包括源极、漏极、体极及栅极，所述源极、所述漏极及所述体极均位于所述基底中，所述栅极位于所述基底上且位于相应的所述源极及所述漏极之间；

两个所述MOS电容中的一个为NMOS电容，另一个为PMOS电容，所述NMOS电容与所述PMOS电容的栅极相连，所述NMOS电容的源极、漏极和体极相连后作为所述电容器的第一电极，所述PMOS电容的源极、漏极及体极连接后作为所述电容器的第二电极。

可选的，所述电容器的单位电容值大于每个MOS电容的单位电容值。

可选的，两个所述MOS电容同步制备而成。

可选的，两个所述MOS电容的栅极与所述基底的重叠区域的面积不相等。

可选的，每个所述MOS电容的栅极与所述基底之间均形成有栅氧化层，在两个所述MOS电容中，最大应用电压较高的MOS电容的栅氧化层更厚。

可选的，所述基底中形成有P阱及N阱，所述NMOS电容的源极、漏极和体极均位于所述P阱中，所述PMOS电容的源极、漏极及体极均位于所述N阱中。

可选的，所述第一电极用于接地，所述第二电极用于连接正电压，所述N阱的击穿电压大于所述电容器的最大应用电压。

本发明还提供了一种电容器的制备方法，包括：

提供基底；

形成两个MOS电容于所述基底，两个所述MOS电容的最大应用电压不同且均小于所述电容器的最大应用电压；以及，

将两个所述MOS电容串联；

其中，所述基底中形成有P阱及N阱，形成两个MOS电容于所述基底的步骤包括：

分别形成源极、漏极和体极于所述P阱及所述N阱中；以及，