[发明专利]一种激光器芯片老化和LIV测试检测方法、系统

权利要求书

1.一种激光器芯片进行老化和LIV测试的检测方法，其特征在于，处理器根据上位机指示进行老化和LIV测试;在进行老化测试时，所述处理器通过温度控制和监控模块控制热沉及加热模块给芯片载具加热，直到温度稳定在预先设定的温度值，加热温度范围为40℃至130℃，芯片载具整体温度均匀性为±1℃，温度精度为0.1℃，所述温度值稳定后，所述处理器再通过加电控制和电流电压监控模块对每一颗芯片进行加电，加电电源为恒流或恒压可切换电源，当电源工作于恒流模式时，其输出电流范围为±0~1000mA，电流输出精度全范围优于0.1%，当电源工作于恒压模式时，其输出电压范围为±10V，电压输出精度全范围优于0.1%，处理器间隔固定的时间回读加载在芯片上的电流值和电压值及激光器芯片的光功率值，处理器将获取的所述电流值、电压值和光功率值通过通讯接口发送给所述上位机；在进行LIV测试流程时，所述处理器通过所述温度控制和监控模块控制热沉及加热模块给芯片载具加热，直到温度稳定在预先设定的温度值，加热温度范围为40℃至130℃，芯片载具整体温度均匀性为±1℃，温度精度为0.1℃，所述温度值稳定后，所述处理器再通过所述加电控制和电流电压监控模块对每一颗芯片进行步进扫描加电，并间隔固定的时间回读加载在芯片上的电流值和电压值及激光器芯片的光功率值，处理器将获取的所述电流值、电压值和光功率值通过通讯接口发送给上位机；所述上位机将获取的所述电流值、电压值和光功率值进行存储，并根据获取的所述电流值、电压值和光功率值绘制LIV曲线和电流、电压及光功率随时间变化的图形。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，存储器预先设置老化或LIV测试所需要的条件值，所述条件值为老化或LIV测试所需的温度条件值、老化或LIV测试加载到激光器芯片上的电流或电压值。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述条件值是激光器芯片老化测试时长，过流、欠流门限值，过压、欠压门限值。

4.一种激光器芯片老化和LIV测试系统，用于执行权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述系统包括上位机、控制模块、连接模块、待测试模块，所述控制模块包括处理器、通讯接口、条件控制和监控模块，所述上位机通过通讯接口控制所述处理器进行老化和LIV测试；所述处理器通过所述条件控制和监控模块对待测试模块进行调节；所述连接模块用于连接所述控制模块和待测试模块；所述待测试模块包括热沉及加热模块、待测试芯片组件，所述芯片组件包括芯片载具，所述芯片载具用于装载多个芯片，所述热沉及加热模块根据处理器的控制对芯片进行加热，所述芯片载具安装在所述热沉及加热模块上。

5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述条件控制和监控模块包括温度控制和监控模块测量、加电控制和电流电压监控模块，所述处理器通过所述温度控制和监控模块对所述待测试模块中的热沉加热；所述处理器通过加电控制和电流电压监控模块对所述芯片加电。

6.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述连接模块包括背板和连接器，所述待测试模块包括光功率测量模块，所述光功率测量模块实时测量芯片的光功率。

7.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述条件控制模块还包括光功率监控模块，所述光功率监控模块将光功率测量模块测量的芯片光功率发送到处理器。