[发明专利]一种激光器芯片老化和LIV测试检测方法、系统

说明书

本发明提供一种激光器芯片老化和LIV测试的检测方法、系统，处理器根据上位机指示进行老化和LIV测试;处理器通过控制热沉及加热模块给芯片载具加热，直到温度稳定在预先设定的温度值，处理器再对每一颗芯片进行加电，回读加载在芯片上的电流值和电压值及光功率值；在进行LIV测试流程时，对加电控制和电流电压监控模块采用的加电方式是步进式扫描，并间隔固定的时间回读加载在芯片上的电流值和电压值及激光器芯片的光功率值，处理器将获取的值通过通讯接口发送给上位机；上位机显示所获取的信息；本发明能提高激光器芯片检测效率、减少占地资源并能实现设备的复用率。

技术领域

本发明涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种激光器芯片老化和测试系统、方法。

背景技术

在对激光器芯片进行测试时，通常需要对激光器芯片进行长时间加温加电老化测试，并在激光器芯片老化测试之前和之后需要对激光器芯片进行LIV（光强-电流-电压）扫描测试。现有对激光器光芯片进行老化测试和LIV测试的方法为：将激光器芯片夹具装载进LIV测试设备，进行LIV扫描测试。LIV测试完成后，取出激光器芯片，将其装载进老化测试设备，进行长时间的加电加热老化测试。待老化测试完成，取出激光器芯片，再次将其装载进LIV测试设备。在现有的激光器芯片测试软件流程中，需要对激光器芯片进行多次转场，每次转场都需要在装载好芯片后对设备重新启动，大大增加了测试时间，降低了测试效率。常用的老化测试设备可以同时老化数千个激光器芯片，而LIV测试设备只能同时测试一个激光器芯片。要完成一批激光器芯片的测试，需要耗费大量测试时间。同时分立的设备带来了更高的设备投资，场地占用和测试人员，不利于大规模生产。并且现有的老化设备和测试设备只适用于特定的激光器或者特定的芯片封装类型，应用场景比较局限。另外现有设备通常无法在芯片老化过程中实时监控激光器芯片光功率，无法量化评估激光器芯片在长时间老化过程中出现的光功率衰减情况。因此，如何提高芯片检测效率以及在评估激光器芯片在老化过程中出现的衰退具有重要的研究意义。

发明内容

本发明提供一种激光器芯片检测方法、系统，解决现有技术中的问题，能提高激光器检测效率，减少检测设备占地面积及实时监控芯片的光功率以评估激光器芯片在老化过程中出现的衰退情况。

本发明保护一种激光器芯片进行老化和LIV测试的检测方法，处理器根据上位机指示进行老化和LIV测试;在进行老化测试时，所述处理器通过温度控制和监控模块控制热沉及加热模块给芯片载具加热，直到温度稳定在预先设定的温度值，加热温度范围为40℃至130℃，芯片载具整体温度均匀性为±1℃，温度精度为0.1℃，所述温度值稳定后，所述处理器再通过加电控制和电流电压监控模块对每一颗芯片进行加电，加电电源为恒流或恒压可切换电源，当电源工作于恒流模式时，其输出电流范围为±0~1000mA，电流及被测器件端电压采样全量程优于0.1%，当电源工作于恒压模式时，其输出电压范围为±10V，电压输出精度全范围优于0.1%，处理器间隔固定的时间回读加载在芯片上的电流值和电压值及激光器芯片的光功率值，处理器将获取的所述值通过通讯接口发送给所述上位机；在进行LIV测试流程时，所述处理器通过所述温度控制和监控模块控制热沉及加热模块给芯片载具加热，加热温度范围为40℃至130℃，芯片载具整体温度均匀性为±1℃，温度精度为0.1℃，直到温度稳定在预先设定的温度值，所述温度值稳定后，所述处理器再通过所述加电控制和电流电压监控模块对每一颗芯片进行步进扫描加电，并间隔固定的时间回读加载在芯片上的电流值和电压值及激光器芯片的光功率值，处理器将获取的所述值通过通讯接口发送给上位机；所述上位机将获取的所述值进行存储，并根据获取的所述值绘制LIV曲线和电流、电压及光功率随时间变化的图形。

进一步地，存储器预先设置老化或LIV测试所需要的条件值，所述条件值为老化或LIV测试所需的温度条件值、老化或LIV测试加载到激光器芯片上的电流或电压值。