[发明专利]三极管及其形成方法

权利要求书

1.一种三极管，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有集电区、发射区和基区；

介质层，所述介质层形成于所述衬底上，所述介质层中形成有第一金属连线、第二金属连线和第三金属连线，所述第一金属连线的底端与所述集电区连接，所述第二金属连线的底端与所述发射区连接，所述第三金属连线的底端与所述基区连接；

所述第二金属连线的特征尺寸小于所述第一金属连线的特征尺寸，所述第二金属连线的特征尺寸小于所述第三金属连线的特征尺寸，所述第二金属连线的特征尺寸小于0.18微米。

2.根据权利要求1所述的三极管，其特征在于，所述衬底中还形成有深阱掺杂区，所述发射区和所述基区形成于所述深阱掺杂区中；

所述衬底中掺杂有第一类型的杂质，所述深阱掺杂区中掺杂有第二类型的杂质，所述集电区和所述发射区中掺杂有所述第一类型的杂质，所述基区中掺杂有所述第二类型的杂质；

当所述第一类型的杂质为P型杂质时，所述第二类型的杂质为N型杂质；当所述第一类型的杂质为N型杂质时，所述第二类型的杂质为P型杂质。

3.根据权利要求1所述的三极管，其特征在于，所述衬底中还形成有阱掺杂区和深阱掺杂区，所述集电区和所述发射区形成于所述阱掺杂区中，所述阱掺杂区和所述基区形成于所述深阱掺杂区中；

所述衬底中掺杂有第一类型的杂质，所述深阱掺杂区中掺杂有第二类型的杂质，所述阱掺杂区掺杂中有所述第一类型的杂质，所述集电区中掺杂有所述第一类型的杂质，所述发射区和所述基区中掺杂有所述第二类型的杂质；

当所述第一类型的杂质为P型杂质时，所述第二类型的杂质为N型杂质；当所述第一类型的杂质为N型杂质时，所述第二类型的杂质为P型杂质。

4.根据权利要求1至3中任一所述的三极管，其特征在于，所述第一金属连线、第二金属连线和第三金属连线包括钨。

5.根据权利要求1至3中任一所述的三极管，其特征在于，所述第一金属连线、第二金属连线和第三金属连线包括铝。

6.根据权利要求1至3中任一所述的三极管，其特征在于，所述第一金属连线、第二金属连线和第三金属连线包括铜。

7.一种三极管的形成方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成介质层，所述衬底中形成有集电区、发射区和基区；

对所述介质层进行刻蚀，在所述介质层中形成第一通孔、第二通孔和第三通孔，所述第一通孔形成于所述集电区上且使所述集电区暴露，所述第二通孔形成于所述发射区上且使所述发射区暴露，所述第三通孔形成于所述基区上且使所述基区暴露，所述第二通孔的特征尺寸小于所述第一通孔的特征尺寸，所述第二通孔的特征尺寸小于所述第三通孔的特征尺寸；

在所述介质层上形成金属层，所述金属层填充所述第一通孔、第二通孔和第三通孔；

对所述金属层进行平坦化处理，去除除所述第一通孔、第二通孔和第三通孔外其它区域的金属层，所述第一通孔内的金属层形成第一金属连线，所述第二通孔内的金属层形成第二金属连线，所述第三通孔内的金属层形成第三金属连线，所述第二金属连线的特征尺寸小于0.18微米。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述衬底中还形成有深阱掺杂区，所述发射区和所述基区形成于所述深阱掺杂区中；

所述衬底中掺杂有第一类型的杂质，所述深阱掺杂区中掺杂有第二类型的杂质，所述集电区和所述发射区中掺杂有所述第一类型的杂质，所述基区中掺杂有所述第二类型的杂质；

当所述第一类型的杂质为P型杂质时，所述第二类型的杂质为N型杂质；当所述第一类型的杂质为N型杂质时，所述第二类型的杂质为P型杂质。