[发明专利]OLED发光单元、OLED基板及OLED发光单元的制作方法有效
申请号: | 202011039372.7 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN112164759B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 张伟;曾诚;卿万梅;李金钰;廖兵 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H10K50/813 | 分类号: | H10K50/813;H10K50/81;H10K71/00;H10K50/854;H10K50/856 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;张博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 发光 单元 制作方法 | ||
1.一种OLED发光单元,用于顶发光的OLED基板,包括阳极、阴极以及设置于阳极和阴极之间的有机功能层,其特征在于,所述阳极包括依次设置的第一金属层和第二金属层,所述第一金属层和所述第二金属层之间设置有隔离层,所述第二金属层的表面具有凹凸结构,所述第二金属层的厚度位于预设阈值范围内,使得所述第二金属层的金属原子在预设条件下发生热团聚、重新排布以在所述第二金属层的表面形成所述凹凸结构;
所述凹凸结构包括凸起部和凹部,所述第二金属层的金属原子能够在预设条件下发生热团聚、并由第一区域迁移到第二区域,以在所述第二区域形成所述凸起部,并在所述第一区域形成所述凹部;
所述第二金属层采用银制作,所述第二金属层的厚度小于40nm;
所述隔离层采用ITO材料制作形成。
2.根据权利要求1所述的OLED发光单元,其特征在于,所述第二金属层的厚度为15-30nm。
3.根据权利要求1所述的OLED发光单元,其特征在于,所述预设条件包括在惰性气体环境下,将所述第二金属层以预设温度加热预设时间,所述第二金属层上形成的所述凹凸结构中的凸起部的厚度与加热的温度和加热的时间呈正相关。
4.根据权利要求3所述的OLED发光单元,其特征在于,所述预设温度为100~200度,所述预设时间为1~5小时。
5.根据权利要求1所述的OLED发光单元,其特征在于,所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧设置有透明导电膜层。
6.一种OLED显示基板,其特征在于,包括权利要求1-5任一项所述的OLED发光单元。
7.一种OLED发光单元的制作方法,用于制作权利要求1-5任一项所述的OLED发光单元,其特征在于,包括:依次形成阳极、有机功能层和阴极,其中,形成阳极具体包括:
依次形成第一金属层、隔离层;
在所述隔离层上形成第二金属层,具体的包括:
在所述隔离层上沉积一层金属层;
在惰性气体环境下,采用预设温度加热预设时间,使得所述金属层的金属原子发生热团聚、重新排布以在所述金属层的表面形成凹凸结构。
8.根据权利要求7所述的OLED发光单元的制作方法,其特征在于,包括:在惰性气体环境下,采用预设温度加热预设时间,使得所述金属层的金属原子发生热团聚、重新排布以在所述金属层的表面形成凹凸结构,具体包括:
在氮气环境下,采用200度的温度加热1小时,使得所述金属层的金属原子发生热团聚、重新排布以在所述金属层的表面形成凹凸结构。
9.根据权利要求7所述的OLED发光单元的制作方法,其特征在于,还包括:
在所述第二金属层上形成透明导电膜层。
10.根据权利要求7所述的OLED发光单元的制作方法,其特征在于,依次形成第一金属层、隔离层,包括:
通过气相沉积工艺采用Ag形成所述第一金属层;
通过气相沉积工艺、采用ITO材料在所述第一金属层上形成所述隔离层。
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