[发明专利]一种电容式麦克风及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202011039626.5 申请日: 2020-09-28
公开(公告)号: CN112153544A 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 钟晓辉;屠兰兰;张睿 申请(专利权)人: 瑞声新能源发展(常州)有限公司科教城分公司;瑞声声学科技(深圳)有限公司
主分类号: H04R19/00 分类号: H04R19/00;H04R19/04;H04R31/00
代理公司: 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 代理人: 龙丹丹
地址: 213167 江苏省常州市武进*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 电容 麦克风 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电容式麦克风,包括具有背腔的基底、固定于所述基底上的背板、以及与所述背板相对间隔设置的振膜电极,所述背板朝向所述振膜电极的一侧设有背板电极,其特征在于,所述背板电极上设有隔离层。

2.根据权利要求1所述的电容式麦克风,其特征在于,所述电容式麦克风还包括设于所述背板和所述振膜电极之间的支撑部。

3.根据权利要求2所述的电容式麦克风,其特征在于,所述振膜电极贴于所述基底上,所述支撑部固定于所述振膜电极或所述基底上,所述背板通过所述支撑部固定支撑于所述基底。

4.根据权利要求3所述的电容式麦克风,其特征在于,所述背板与所述支撑部为一体成型结构。

5.根据权利要求3所述的电容式麦克风,其特征在于,所述支撑部为环形结构或多边框型结构并围绕所述振膜电极。

6.根据权利要求1所述的电容式麦克风,其特征在于,所述背板、背板电极以及隔离层上设有多个贯穿的声孔。

7.根据权利要求1所述的电容式麦克风,其特征在于,所述振膜电极上设有贯穿的通孔。

8.一种电容式麦克风的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:

提供一硅基板,并在硅基板上沉积第一牺牲层;

在所述第一牺牲层的边缘刻蚀形成有贯穿的第一凹槽;

在所述第一牺牲层上沉积振膜电极层,且沉积到所述第一凹槽内的部分与所述硅基板连接;

在所述振膜电极层上刻蚀多个通孔从而形成振膜电极,所述多个通孔围绕振膜电极的中间区域间隔设置从而形成所述振膜电极的振动部;

在所述振膜电极层上沉积第二牺牲层,且沉积到所述多个通孔的部分与所述第一牺牲层连接;

在所述第一牺牲层上依次沉积隔离层以及背板电极层;

将所述背板电极层、隔离层以及第二牺牲层的边缘部分刻蚀形成有贯穿的第二凹槽;

在背板电极层上沉积背板层,且沉积到所述第二凹槽的部分与所述振膜电极层连接,从而形成支撑部;

在背板层、背板电极层以及隔离层上贯穿的刻蚀有多个声孔;

在所述硅基板底部刻蚀形成露出所述第一牺牲层底面一部分的背腔;

去除第一牺牲层和第二牺牲层,从而在所述隔离层与振膜电极层之间形成声腔,并使所述声孔与所述声腔连通,以及所述通孔分别与所述声腔和背腔连通。

9.根据权利要求8所述的电容式麦克风的制造方法,其特征在于,所述振膜电极层和背板电极层的材料为多晶硅,所述背板层的材料为氮化硅,所述隔离层的材料为不掺杂多晶硅、氮化硅或碳化硅。

10.根据权利要求8所述的电容式麦克风的制造方法,其特征在于,所述第一牺牲层和第二牺牲层的材料为氧化硅,通过湿刻蚀的方法去除所述第一牺牲层和第二牺牲层。

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