[发明专利]一种异质结电池组件及其制备方法在审
申请号: | 202011040756.0 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN112038435A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 胡剑鸣 | 申请(专利权)人: | 东方日升新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/072;H01L31/18 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 孙柳 |
地址: | 315600 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 异质结 电池 组件 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种异质结电池组件,包括多个阵列组成的多个异质结电池的电池片切片组成,通过将原有的异质结电池组件中的每个电池片切片的切割端面的朝向进行调整,使得相邻电池片切片之间的焊带与电池片切片的切割端面上的机械掰开部分不接触,从而在层压时,焊带不会对凹凸不平的机械掰开部分形成挤压力,降低了电池片出现隐裂的几率,提高产品的良率。本发明还提供了一种异质结电池组件的制备方法。
技术领域
本发明涉及电池组件制备领域,尤其涉及一种异质结电池组件及其制备方法。
背景技术
在电池组件生产过程中,通常厂家为了降低成本,电池组件中的电池片的厚度越来越小,导致降低了电池片防止机械破坏的能力,进而加大了电池片的隐裂风险。由于电池片产生的电流需要依靠电池片表面的主栅线以及垂直于主栅线的细栅线的收集以及导出,但是,当电池片隐裂时,导致细栅线断裂,则电流无法通过细栅线输送到主栅线,最终导致电池片部分甚至全部无法工作。
现有的电池片生产,一般是将每个电池片进行半片切割形成两个电池片切片,然后将多个电池片的电池片切片通过焊带连接,并通过层压工艺将电池片切片、焊带以及封装层固定形成电池组件。其中,电池片的划片工艺一般采用激光划片法,也即:采用激光划片机沿垂直主栅线的方向进行激光切割预设深度,然后以机械掰片方式将电池片分成两个电池片切片。具体如图1所示,将电池片进行半片切割形成电池片切片1,其一端为切割端面5(切割端面5为通过划片工艺切割电池片后所形成的电池片的端面)、另一端为非切割端面8(非切割端面8为未通过划片工艺切割的电池片的端面)。由于激光切割与机械掰片的不同,会使得形成的电池片切片1的切割端面5包括两部分:激光划片部分51和机械掰开部分52。其中,激光划片部分51是指通过激光切割机切割的部分,其表面光滑平整;而机械掰开部分52是指机械掰片方式掰开的部分,由于应力的原因,其表面凹凸不平。一般来说,常规的电池片在半片切割时,通常从电池片的电池片背面6对电池片进行切割的,尤其是对PERC(Passivated Emitter and Rear Cell,钝化发射极和背面电池)电池片来说,对于电池片进行半片切割时均是从电池片背面6对电池片进行切割的。因此,对于常规的电池片半片切割后所形成的电池片切片1来说,电池片切片1的切割端面5中的激光划片部分51为靠近电池片背面6的部分,机械掰开部分52为靠近电池片正面7的部分。
然而,对于异质结电池来说,由于异质结电池的电池片的结构特性,在对异质结电池的电池片进行半片切割时,需要从电池片正面进行激光划片预设深度,然后再经过机械掰片方式将电池片分成两个电池片切片,如图2所示,异质结电池片的电池片切片1的切割端面5与常规的电池片切片1的切割端面5不同,也即:激光划片部分51为靠近电池片正面7的部分,而机械掰开部分52为靠近电池片背面6的部分。
对于现有技术中的电池组件的制备方法一般包括清洗、印刷、切割、排版、封装、层压等流程。也即是,通过对印刷后的每个电池片进行半片切割后形成两个电池片切片,然后将多个电池片切片按照预设排版方式进行排版后形成电池组件,然后再对电池组件进行封装、层压等最终形成电池组件成品。在对电池片切片进行排版时,相邻电池片切片之间通过焊带连接。
结合图3-4,当异质结电池的电池片切片1采用现有的电池制备方法中对电池组件进行层压,由于每个电池片切片1的切割端面5中的激光划片部分51、机械掰开部分52的分布位置与常规的电池片切片1的切割端面5中的激光划片部分51、机械掰开部分52的分布位置正好相反,电池组件在层压时,电池片切片1的切割断面5的机械掰开部分52与焊带2接触,在层压时,焊带2易对凹凸不平的机械掰开部分52形成挤压力,进而增大层压后电池片出现隐裂的几率以及电池片上的细栅线断裂的可能,导致电池片部分或全部失效。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明的目的之一在于提供一种异质结电池组件,其能够解决现有技术中异质结电池组件在层压后存在隐裂的风险等问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的